太田 英二 | 慶大理工
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概要
関連著者
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太田 英二
慶大理工
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佐藤 徹哉
慶大理工
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太田 英二
慶應義塾大学大学院理工学研究科
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坂田 亮
慶大理工
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奥 隆之
慶大理工
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安藤 大観
慶大理工
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太田 英二
慶大 理工
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入江 雄一郎
慶大理工
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谷山 智康
慶大理工
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武田 京三郎
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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岩村 篤
慶大理工
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城地 和子
慶大理工
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大和田 雅洋
慶大理工
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武田 京三郎
早大理工
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小山 紀久
慶大理工
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科物質創成先端科学専攻
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小山 紀久
物材機構
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高谷 直樹
慶大理工
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柳原 英人
慶大理工
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白石 賢二
NTT基礎研
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滝 裕之
慶大理工
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Taniyama T
東工大応セラ研
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谷山 智康
東工大応セラ研
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武田 全康
東北大理
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山口 泰規
慶大理工
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根本 智裕
慶大理工
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田口 明仁
武蔵野通研
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榊原 俊郎
東大物性研
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佐藤 寿彦
東京工科大学工学部
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佐藤 寿彦
東京工科大学
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横山 勝
石巻専修大学理工学部
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後藤 恒昭
物性研
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山田 省二
武蔵野通研
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古坂 道弘
高エネ研
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榊原 俊郎
物性研
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中川 直樹
慶大理工
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桑原 健
慶大理工
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河合 英紀
慶大理工
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亀井 雅之
慶大理工
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福井 孝志
Ntt基礎研究所
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佐藤 寿彦
東京工科大 工
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福井 孝志
武蔵野通研
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森田 敬三
慶大理工
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米山 直志
慶大理工
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神津 順一
慶大理工
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大村 岳雄
慶大理工
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王子田 克樹
慶大理工
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三浦 登
東大物性研
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鳥居 陽子
慶大理工
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小川 智之
東北大工
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古坂 道弘
東北大・理
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武田 京三郎
慶大理工
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武田 京三郎
武蔵野通研
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田口 明仁
慶大理工
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白石 賢二
NTT物性科学基礎研究所
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小川 智之
慶大理工
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伊藤 公平
慶大理工
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中川 英明
慶大理工
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榊原 敏郎
北大院理
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横山 勝
慶大理工
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沖野 博信
慶大理工
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小野寺 清光
慶大理工
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太田 茂輝
慶大理工
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生井 一寛
慶大理工
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西森 泰子
慶大理工
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古坂 道弘
北海道大学
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古坂 道弘
北大院工
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古坂 道弘
北海道大学大学院工学研究院量子理工学部門
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城生 愛次
慶大理工
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後藤 恒昭
東大物性研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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山田 省二
NTT武蔵野通研
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福井 孝志
NTT武蔵野通研
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三浦 登
物性研
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伊藤 智徳
三重大学工学部理工学科
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今井 正幸
東大物性研
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酒井 健一
横国大工
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若林 信義
慶大理工
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伊藤 厚子
お茶の水大理
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森本 せつ
お茶の水大、理
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田中 靖士
慶大理工
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田島 圭介
慶大理工
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加藤 大輔
慶応大学理工学部
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山口 浩司
三菱重工業(株)
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大野 隆央
金材技研
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前田 剛享
慶大理工
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岡島 康
早稲田大学理工学部物質開発工学科
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岡島 康
早大理工
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伊藤 智徳
NTTフォトニクス研
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高野 敏明
慶大理工
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亀井 雅之
東京理科大学基礎工学部
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森本 せつ
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慶大理工
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大野 隆央
物材機構
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亀井 雅之
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石巻専修大学理工学部電子材料工学科
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羽田 紘一
石巻専修大 理工
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羽田 紘一
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塵大・理二・計測
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松下 裕秀
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伊藤 公夫
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笠毛 邦弘
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小川 力
慶大理工
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今村 真美子
慶大理工
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加藤 大輔
慶大理工
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慶応大・理工・計測
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伊藤 公夫
慶応大・理工・計測
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山田 省二
電々公社武蔵野研究所
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福井 孝志
電々公社武蔵野研究所
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慶大理工
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中村 善行
慶大理工
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中原 啓二
慶大理工
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畑中 一人
慶大理工
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川合 英紀
慶大理工
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新谷 俊通
慶大理工
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慶大理工
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信田 陽一
慶大理工
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柏谷 元史
慶大理工
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武田 全康
日本原子力研究開発機構
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永田 努
慶大理工
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竹大 精一
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佐籐 徹哉
慶大理工
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阪田 亮
慶大理工
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城田 幸司
慶大理工
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根元 智裕
慶大理工
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中木 村清
慶大理工
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伊藤 厚子
お茶の水大・理
著作論文
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
- 28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
- 水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
- 3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
- 28a-PS-24 Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象II
- 6a-PS-116 カドミウムフェライト超微粒子の磁性
- 共沈法Cdフェライトの磁性II
- 29a-PS-1 共沈法Cdフェライトの磁性 I
- 13p-PS-29 NbS_3の構造と相転移
- AuFe超微粒子の磁性III
- 28a-PS-64 磁性微粒子LB膜の磁性III
- 14a-PS-11 磁性微粒子LB膜の磁性II
- 31p-PSB-51 磁性微粒子LB膜の磁性
- 31a-H-8 強磁性微粒子分散高分子の磁気的性質
- 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
- 3a-A-13 強磁場におけるエピタキシャルn-InPの磁気抵抗
- 1a-KC-7 パルス強磁場におけるn型InPの横磁気フォノン共鳴
- 29a-PS-70 NiMn薄膜の成膜条件とそのスピングラス特性
- 2p-PSB-43 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性 II
- 30p-PSA-14 イオンビームスパッタリング法により作成されたNiMn薄膜のスピングラス特性
- 30p-PSA-12 スピングラスNiMnの非線型磁化率II
- 13p-PSA-28 スピングラスNiMnの非線型磁化率
- PdおよびPdFe超微粒子の表面磁性
- 29a-PS-71 AuFe超微粒子の磁性II
- 28a-PS-65 AuFe超微粒子の磁性
- 15a-PS-48 Pd超微粒子の偏極中性子散乱II
- 2Ea-2 モヤシマメ幼植物の伸長生長に及ぼす外部pHの影響
- 3p-S-1 ガス中蒸発法により作成したPd超微粒子の格子振動
- 29p-PS-20 非晶質Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性
- Cd_Mn_xFe_yTeの高温におけるスピングラス様磁性
- 30p-PSA-17 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性III
- 13p-PSA-33 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性II
- Coフェライト微粒子における磁化の量子トンネル現象
- 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱II
- 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質II
- 29p-PSB-39 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁性に及ぼす光照射の影響III
- 29a-PS-6 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質
- 29a-PS-5 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱
- 3p-PSA-18 金属スピングラスNiMnの磁気光学効果
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 27a-PS-21 リエントラント・スピングラスCr_Mn_xGeの交流磁化率
- 29p-PS-2 リエントラントスピングラスCr_Mn_xFe_yGeの磁化過程
- 29p-PS-1 Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 5a-L-12 リエントラントスピングラスCr_Mn_xGeの輸送現象
- 3p-PSA-14 希薄磁性半導体Cd_Mn_xTeの磁化に及ぼす光照射の影響 II
- 30p-PSA-23 希薄磁性半導体Cd_MnxTeの磁下に及ぼす光照射の影響
- 30p-PSA-16 Cd_Mn_XFe_YTeの磁気的性質II
- 13p-PSA-31 Cd_Mn_xFe_yTeの磁気的性質
- 31p-PSA-49 Mn高濃度Cd_Mn_xTeにおけるスピン凍結II
- 31p-PSA-48 スピングラスCd_Mn_xTeにおける経時効果 : 磁気光学効果および磁気測定による
- 26a-PS-39 Mn高濃度Cd_Mn_xTeにおけるスピン凍結
- 30a-ZJ-3 スピングラスCd_Mn_xTeの経時効果
- 29p-PS-54 スピングラスCd_Mn_xTeの磁場効果
- 28p-ZJ-5 交流磁化率測定によるスピングラスCd_Mn_Teの磁気異方性の評価II
- 27p-G-10 交流磁化率測定によるスピングラスCd_Mn_Teの磁気異方性の評価
- 30a-ZH-8 H^+-ATPaseの再構成膜の相転移と活性についての研究
- 31p-PSA-51 強磁性微粒子分散高分子およびその薄膜の磁性
- 30a-PS-32 Pd超微粒子の磁気測定
- 29p-PS-55 スピングラスAuFe薄膜の磁気測定
- 29p-BPS-12 ガス中蒸発法により作成したPd超微粒子の磁気的性質II
- 31p-PSA-50 スピングラスNiMn/Ni二層薄膜の磁気的性質III
- 31p-PSA-45 スピングラスNi_Mn_薄膜のサイズ効果
- 26a-PS-41 スピングラスNiMn薄膜の、非線型磁化率による、サイズ効果の検証
- 26a-PS-26 スピングラスNiMn/Ni二層薄膜の磁気的性質 II
- 30a-ZJ-12 スピングラスNiMn/Ni二層薄膜の磁気的性質
- 28a-APS-35 スピングラスNiMn合金薄膜の磁気異方性の評価
- 27p-G-11 スピングラスNiMn-Ni二層薄膜の電気抵抗
- 24p-PS-34 リエントラントスピングラスNiMn薄膜の磁気抵抗
- 3p-PS-57 スピングラスNiMn-Ni二層薄膜の近接効果
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 1p-H-7 スピングラスNiMn-Ni2層薄膜の電気抵抗および磁気抵抗
- 1p-H-6 スピングラスNia_Mn_の誘導磁気異方性
- 5a-PS-4 スピングラスNiMn合金薄膜の電気抵抗及び磁気抵抗
- 6a-S3-4 非晶質Cr_Fe_xGe合金の構造と磁性
- 2a-KG-7 Cr_Mn_xGeの磁性II
- 12a-PS-23 Cr_Mn_xGeの磁性
- 26a-PS-42 スピングラスAuFe超微粒子の磁気測定
- 1a-PS-12 Pd超微粒子の偏極中性子散乱
- 31a-M1-8 Cr_Mn_xGeのスピングラス発生機構(磁性(スピングラス))
- 27p-PS-15 Cr_Mn_xGeの交流磁化率II(磁性ポスターセッション)
- 31p-M1-4 リエントラント・スピングラスNi-Mn合金の熱電能と電気抵抗(磁性(スピングラス,低次元))
- 1p-PSB-22 強磁性微粒子分散高分子の中性子小角散乱III(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 1P-PSB-20 強磁性微粒子LB膜の評価および磁気的性質III(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 31p-PS-23 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 2p-D5-9 強磁性に近い金属間化合物CrGeに対するMn, Feの置換効果(2p D5 磁性(遍歴磁性体))
- 1p-PSB-59 半磁性半導体Cd_Mn_xTeの光誘起磁化の組成依存性II(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 31p-PS-24 Cr_Mn_xFe_yGeのスピングラス発生機構II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 31a-D2-9 非晶質Cr_Mnx Geの磁性(31a D2 磁性(アモルファス合金))
- 31a-D3-9 Cr_MnxGeの磁性III(31a D3 磁性(スピングラス))
- 31p-PS-25 非晶質合金Cr_xGe_の構造と磁性(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 1P-PSB-21 PdFe超微粒子の磁性(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 29a-F-9 電気抵抗および磁気抵抗から見た多結晶Cr_Mn_xGeの性質(29a F 磁性(スピングラス・ランダム))
- 30a-PS-24 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性 III(磁性ポスターセッション)
- 1p-D2-10 GaAs中正孔のイオン化不純物散乱のphase shift(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 1p-UA-5 非晶質Cr_xG_合金の構造と電気抵抗