福井 孝志 | Ntt基礎研究所

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著作論文

• 3p-A-19 InGaAs/InP系材料の遠赤外磁気光吸収
• 3p-B1-2 GaAs表面原子ステップを利用した超格子
• 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
• 3a-A-13 強磁場におけるエピタキシャルn-InPの磁気抵抗
• 1a-KC-7 パルス強磁場におけるn型InPの横磁気フォノン共鳴
• 11p-E-12 n-InPの遠赤外磁気光吸収
• 半導体立体量子マイクロ構造の作製 : MOCVD法による選択成長技術
• 29p-LD-4 擬一次元伝導特性をもつ(InAs)_1(GaAs)_1/InP 2次元電子ガス(半導体)

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