安藤 精後 | NTT基礎研究所

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概要

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関連著者

• 安藤 精後

  NTT基礎研究所

• 安藤 精後

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

• 小林 直樹

  NTT基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 安藤 精後

  日本電信電話 (株) 基礎研究所

• 小林 康之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 赤坂 哲也

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 安藤 精後

  日本電信電話株式会社基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• Fukui T

  Research Center For Integrated Quantum Electronics Hokkaido University

• 福井 孝志

  Ntt基礎研究所

• 福井 孝志

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 小林 康之

  NTT基礎研究所

• 椿 光太郎

  日本電信電話公社

• 安藤 弘明

  NTT基礎研究所

• 熊谷 雅美

  Ntt基礎研究所

• 赤坂 哲也

  NTT基礎研究所

• 安藤 弘明

  日本電信電話株式会社基礎研究所

• 福井 孝志

  日本電信電話 (株) 基礎研究所

• 福井 孝志

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 岡本 稔

  茨城電気通信研究所

• 熊谷 雅美

  NTT基礎研

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著作論文

• ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
• GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
• 窒化物半導体のファセット成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
• GaAsファセットレ-ザ (特集論文 ファセットレ-ザ)
• 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
• MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
• 形状制御によるファセットレ-ザの成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
• 半導体立体量子マイクロ構造の作製 : MOCVD法による選択成長技術
• 6. 半導体量子ドット構造の形成
• 選択成長を利用した量子細線・量子箱の作製
• 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)

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