安藤 精後 | 日本電信電話 (株) 基礎研究所
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概要
関連著者
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茨城電気通信研究所
著作論文
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- 6. 半導体量子ドット構造の形成
- 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)