6. 半導体量子ドット構造の形成
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概要
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New GaAs quantum dot structures, called tetrahedral quantum dots (TQDs) are proposed to make a zero-dimensional electron-hole system. The TQDs are surrounded by crystallographic facets fabricated using selective area MOCVD growth on (111) B GaAs substrates. The calculated energy sublevel structures of 0-dimensional electrons in GaAs TQD show large quantum size effects, because electrons are confined three-dimensionally. GaAs and AlGaAs tetrahedral facet structures on (111) B GaAs substrates partially etched into a triangular shape were grown using MOCVD. Tetrahedral growth with (110) facets occurs in the triangular areas. The cathodoluminescence intensity map for GaAs tetrahedrons buried in AlGaAs shows the tetrahedral dot array.
- 日本結晶学会の論文
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