MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-10-10
著者
関連論文
- 28a-M-7 GaAs_N_x(x
- 先端追跡
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 先端追跡
- 半導体成長表面の表面分析
- ブルスター角入射光反射モニタ (Surface Photo-Absorption SPA) 法による有機金属気相成長表面反応とその場観察 : ALE成長機構
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- 27pYC-7 InGaAs量子ドットの励起子/励起子分子光過程における量子干渉効果
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 窒化物半導体のファセット成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- 半導体量子井戸構造における光非線形効果--原理と性能指数の比較
- GaAsファセットレ-ザ (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
- 半導体量子細線における励起子光学効果
- 半導体低次元構造の光非線形効果とデバイス応用 (非線形光導波路材料とデバイス応用)
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-
- 形状制御によるファセットレ-ザの成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 表面光吸収法による気相成長表面の観察
- 29p-W-12 気体分子の吸着・解離過程に及ぼす半導体表面ポテンシャルの影響
- 半導体立体量子マイクロ構造の作製 : MOCVD法による選択成長技術
- 6. 半導体量子ドット構造の形成
- 選択成長を利用した量子細線・量子箱の作製
- 25aYE-2 量子ドット励起子のラビ振動とコヒーレント操作(25aYE 領域5シンポジウム主題:半導体量子ドットの光励起コヒーレンス-量子コヒーレンスの制御をめざして-,領域5(光物性分野))
- 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)