窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
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概要
著者
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
NTT基礎研究所
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小林 直樹
NTT基礎研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt基礎研
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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