表面光吸収法による気相成長表面の観察
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28a-M-7 GaAs_N_x(x
- 先端追跡
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 先端追跡
- 半導体成長表面の表面分析
- ブルスター角入射光反射モニタ (Surface Photo-Absorption SPA) 法による有機金属気相成長表面反応とその場観察 : ALE成長機構
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- GaAsファセットレ-ザ (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-
- 形状制御によるファセットレ-ザの成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 表面光吸収法による気相成長表面の観察
- 29p-W-12 気体分子の吸着・解離過程に及ぼす半導体表面ポテンシャルの影響