高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
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概要
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MOCVDで非常に平坦なGaAs表面上に1, 6分子層のGaAsを成長させ、高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて二次元核密度を測定し、表面拡散係数を530℃で2x10^-6>cm^2/sと算出した。MOCVD成長のステップバンチングはマルチステップ間隔の飽和やそれが微傾斜角度に依存しないことが観測されたが、広いテラスで二次元核が形成し、それが登りのマルチステップと合体することで説明できることを示す。モデルを基に簡単なシミュレーションをおこない、実験結果を再現すると共に、観察される飽和マルチステップ間隔は二次元核間隔の約2倍に相当することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-17
著者
-
小林 直樹
NTT基礎研究所
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
NTT基礎研究所
-
嘉数 誠
Ntt基礎研
-
嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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