Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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新構造のAlGaN/GaN MIS HFETを提案し、試作したデバイスの静特性を報告する。提案の要点は、(1)チャネルドープ構造、および、(2)Al_2O_3/Si_3N_4なる2層絶縁ゲート膜、を用いる点である。ゲート長1.5μmの試作デバイスからは、145 mS/mmなるgm、1.6 A/mmなる最大級の飽和電流密度、低ゲートリーク電流なる魅力的な特性が得られ、本構造が今後のデバイス高性能化に有望であることが示唆された。
- 2003-06-06
著者
-
俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
-
斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
-
前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
-
椿 光太郎
東洋大学工学部
-
齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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