小林 直樹 | 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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谷保 芳孝
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
NTT物性科学基礎研究所
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前田 就彦
NTT物性科学基礎研究所
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椿 光太郎
NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
NTT基礎研究所
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小林 直樹
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt基礎研
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俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
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杉村 陽
Ntt基礎研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉村 陽
NTT武蔵野通研
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椿 光太郎
NTT武蔵野通研
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小林 直樹
NTT武蔵野通研
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Kubovic M
Univ. Ulm Ulm Deu
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Kubovic Michal
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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ALEKSOV Aleksandar
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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KALLFASS Ingmar
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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SCHUMACHER Hermann
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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KOHN Erhard
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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西田 敏夫
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
-
西田 敏夫
NTT 基礎研究所
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小林 直樹
NTT 基礎研究所
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Kohn Erhard
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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安藤 精後
NTT基礎研究所
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Kallfass Ingmar
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Schumacher Hermann
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Aleksov Aleksandar
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Kubovic Michal
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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安藤 精後
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
著作論文
- 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ダイヤモンドMESFETの高周波特性
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長