嘉数 誠 | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

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概要

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関連著者

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 谷保 芳孝

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 山内 喜晴

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• Kubovic M

  Univ. Ulm Ulm Deu

• Kubovic Michal

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• KOHN Erhard

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 植田 研二

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kubovic Michal

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• Kohn E

  Univ. Ulm Ulm Deu

• 小林 康之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 赤坂 哲也

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 小林 康之

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 赤坂 哲也

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 角柳 孝輔

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  国立情報研

• 仙場 浩一

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 齊藤 志郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  NII

• ALEKSOV Aleksandar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• KALLFASS Ingmar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• SCHUMACHER Hermann

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

• Kohn Erhard

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Coe S.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• 影島 博之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  総合研究大学院大学情報学専攻:国立情報学研究所

• Twitchen D.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Schwitters M.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Scarsbrook G.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• 根本 香絵

  国立情報学研

• テレア アレクサンダ

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• イエ ハイタオ

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kallfass Ingmar

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Schumacher Hermann

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Aleksov Aleksandar

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• 平間 一行

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• Kemp A.

  日本電信電話株式会社、ntt物性科学基礎研究所

• ZHU X.

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 狩元 慎一

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 中ノ 隼人

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• MUNRO W.

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 都倉 康弘

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• EVERITT M.

  国立情報学研究所

• 水落 憲和

  大阪大学、基礎工学研究科

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 平間 一行

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研

• 熊倉 一英

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  国立情報学研究

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著作論文

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• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
• 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合

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