小林 康之 | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

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概要

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関連著者

• 赤坂 哲也

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 小林 康之

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 赤坂 哲也

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 牧本 俊樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小林 康之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 山本 秀樹

  日本電信電話(株) NTT未来ねっと研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 蔡 俊瓏

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 谷保 芳孝

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 山本 秀樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

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著作論文

• 六方晶窒化ホウ素のエピタキシャル成長とその紫外発光特性
• 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
• 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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