牧本 俊樹 | 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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山内 喜晴
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
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赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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赤坂 哲也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Kubovic M
Univ. Ulm Ulm Deu
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Kubovic Michal
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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KOHN Erhard
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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Kohn E
Univ. Ulm Ulm Deu
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植田 研二
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Kubovic Michal
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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小林 康之
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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山本 秀樹
日本電信電話(株) NTT未来ねっと研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 康之
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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谷保 芳孝
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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Coe S.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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Twitchen D.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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Schwitters M.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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Scarsbrook G.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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テレア アレクサンダ
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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イエ ハイタオ
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)