ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
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概要
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窒化物半導体へテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は, 高出力電子デバイスとして期待されているが, 今までに報告されたNpn型窒化物半導体HBTには二つの大きな問題点があった.一つは電流利得が低い点であり, もう一つはエミッタ接地電流-電圧(I-V)特性におけるオフセット電圧が高い点である.我々は, 従来のp型GaNに比べて抵抗が低いp型InGaNに比べて抵抗が低いp型InGaNをHBTのベース層に用いるとともに, 外部ベース層の結晶再成長を行うことにより, これらの二つの問題点を克服した.そして, 窒化物半導体HBTの特徴である高出力動作を実証したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-01
著者
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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