ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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高品質ダイヤモンドCVD薄膜を用いて,p型ダイヤモンドMESFET(ゲート長0.2μm)を作製した。高周波特性(f_T=25GHz,f_<MAX(MAG)>=63GHz,f_<MAX(U)>=81GHz)から初めてミリ波帯での電力増幅を示した。またRF電力特性(1GHz,A級動作)による最大出力電力は0.35mW/mm,線形電力利得は14dBを示した。また初めてRF雑音特性を測定し,最小雑音指数は3GHzで0.72dBを示した。さらにドリフト速度のオーバーシュート現象による高速化の可能性をモンテカルロシミュレーションから考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
-
Kubovic M
Univ. Ulm Ulm Deu
-
Kubovic Michal
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
-
嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
KOHN Erhard
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
Kohn E
Univ. Ulm Ulm Deu
-
山内 喜晴
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
Kubovic Michal
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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