層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-22
著者
-
赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
山本 秀樹
日本電信電話(株) NTT未来ねっと研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
小林 康之
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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赤坂 哲也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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