窒化物半導体への高濃度p型不純物ドーピングとヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)

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概要

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• 電気通信協会の論文

著者

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

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