高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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窒化物半導体HBTは, 閾値の均一性がよい・大電流密度で動作可能という特性だけでなく, 材料的な特長から, 高温や高出力動作が可能と予測され, 有望なデバイスである.我々は, 低抵抗n-GaNベース層を有するPnp AlGaN/GaN HBTを作製し, 世界で初めてエミッタ接地での動作に成功している.ここでは, 2.4MV/cmの絶縁破壊電界, 摂氏550度以上の高温動作の実現やGaN基板上に作製したHBTの高出力動作に関して述べるだけでなく, 高温におけるHBTの電流輸送機構に関しても報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-06
著者
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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