Al_<1-x>Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
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概要
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高濃度SiドープAlN中ではSi原子はAl原子を置換しており、高濃度SiドープAlNはあl_<-1x>Si_xN固溶体を形成することが明らかになった。X線回折からその格子定数、ボンド長を求めることができた。高濃度SiドープAlNおよびAlGaNのフィールドエミッション(電界放出)に必要な電界強度を測定し、その電界強度はAl組成が高く、Si濃度が高いほど減少することが明らかになった。ダイヤモンドの約7倍に相当する0.22A/cm^2の最大フィールドエミッション電流密度が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-04
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
谷保 芳孝
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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