谷保 芳孝 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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谷保 芳孝
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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平間 一行
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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平間 一行
佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所
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小林 康之
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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小林 康之
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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赤坂 哲也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
- 科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
- 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
- 単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長