Kohn E | Univ. Ulm Ulm Deu
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概要
関連著者
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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Kubovic M
Univ. Ulm Ulm Deu
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Kubovic Michal
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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KOHN Erhard
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Kohn E
Univ. Ulm Ulm Deu
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山内 喜晴
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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Kubovic Michal
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)