山内 喜晴 | 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

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概要

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関連著者

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 山内 喜晴

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• Kubovic M

  Univ. Ulm Ulm Deu

• Kubovic Michal

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• KOHN Erhard

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• Kohn E

  Univ. Ulm Ulm Deu

• 植田 研二

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kubovic Michal

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Coe S.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Twitchen D.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Schwitters M.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Scarsbrook G.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• テレア アレクサンダ

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• イエ ハイタオ

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

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著作論文

• C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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