科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
-
ダイヤモンドMESFETの高周波特性
-
高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
-
Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
-
GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
-
STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
-
窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
-
科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード
-
ステップフローMOVPE成長による量子細線
-
水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
-
ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
-
C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
-
深紫外光源のための窒化物半導体の開発
-
未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
-
C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
-
窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
-
C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
-
ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
-
Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
-
Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
-
窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
-
窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
-
高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
-
STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
-
ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
-
表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
-
単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長
-
超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
-
NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
-
ダイヤモンド結晶成長 : パワーデバイス応用への現状と課題(ダイヤモンド成長)
-
NO_2およびO_3吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク