Biサーファクタントを用いた通信波長帯量子ドットの成長と評価

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概要

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MOVPE成長による通信波長帯量子ドットの作成において、成長時におけるTMBiの添加が光学特性の向上と発光の長波長化に有効であり、この効果が一種のサーファクタントであることを確認した。さらに成長条件依存性やSTEM観察による考察から、発光の長波長化はMBE成長QDで報告されている活性化スピノーダル分解と呼ばれるメカニズムに類似していることを明らかにした。QDの高密度化、多層化の検討においてはQD成長時のV/III比を通常の条件に比べ大幅に上げることにより密度が増すこと、GaAs_<0.72>P_<0.28>歪補償層を導入することにより、転位の導入やQD層間の結合のない多層QD構造の作成ができることを確認した。また、同多層サンプルにおいて特徴的なPL特性を観測し、非発光再結合センタの存在から考察を行った。QDの光学特性をより向上させるためには非発光再結合センタとなる微小欠陥に関する検討が重要な課題になると考えられる。
2009-08-03

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