低温と室温におけるコンダクタンス法の組み合わせによるGe-MIS構造の界面準位密度評価

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概要

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次世代のMOSデバイスに向けてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質面上が課題とされている。我々はこれまでECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法によって界面準位密度の低いMIS構造が作成できること、通常のコンダクタンス法評価が室温では適用できないGe-MIS構造においても反転領域における特性解析により界面準位密度の評価が可能であることなどを報告してきた。本報告では、上記Ge-MIS構造の界面準位評価において、低温におけるコンダクタンス法評価と室温における反転領域の特性解析を組み合わせた評価を行い、ミドルギャップ付近を中心としたバンドギャップ上半分と下半分における界面準位密度を得ることに成功した。得られたミドルギャップ付近の界面準位密度は1×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>台であり、p型Ge-MIS構造としてはトップレベルの良好な値である。
2011-08-03

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