IN(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価
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概要
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Biをサーファクタントとした独自の成長方法によって成長したGaAsP歪補償層を有する10層量子ドットを対象とし、DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)評価を行った。DLTSのパルス幅依存性測定からキャリアの捕獲に長い時間がかかっていることが明らかになったため、キャリア捕獲過程のDLTS測定を試みた。その結果、キャリアの放出と捕獲の過程において、活性化エネルギー等が同様の特性を示すことがわかった。この結果から、双方の過程は共通のバリアで律速されており、共通のバリアはGaAsP歪補償層と考えられることを示した。
- 2011-08-03
著者
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後藤 秀樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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舘野 功太
NTTフォトニクス研究所
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舘野 功太
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
後藤 秀樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
岡本 浩
弘前大学大学院理工学研究科
-
寒川 哲臣
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
鈴木 聡一郎
弘前大学大学院理工学研究科
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佐藤 真哉
弘前大学大学院理工学研究科
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岩崎 拓郎
弘前大学大学院理工学研究科
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寒川 哲臣
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
-
岡本 浩
弘前大学大学院 理工学研究科
-
寒川 哲臣
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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