C-3-89 850nm帯偏波制御型(311)B面上面発光レーザの伝送特性の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
-
植之原 裕行
Nttアクセスサービスシステム研究所
-
天野 主税
Nttフォトニクス研究所
-
香川 俊明
NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
NTTフォトニクス研究所
-
植之原 裕行
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
舘野 功太
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
香川 俊明
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
天野 主税
NTT 光エレクトロニクス研究所
-
香川 俊明
Ntt 光エレクトロニクス研
関連論文
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- B-10-59 アレイ導波路格子(AWG)とステップ型位相フィルタによるPSK-DD受信器を用いた10Gbit/s, 100km伝送実験
- アレイ導波路格子(AWG)による位相変調-強度変調変換実験
- 1.55μm帯埋込み面発光レーザ
- 液晶を用いた光通信用可変光減衰器アレイ
- 光通信波長帯面発光半導体レーザ--世界最小電流での室温連続発振動作に成功
- B-12-5 光パケットスイッチを入力段に用いた大容量ルータ構成法の提案
- 並列光インターコネクション用850nm帯面発光レーザアレイ
- 波長850nm帯(311)B-GaAs基板上偏波制御型面発光レーザ及び(100)基板上モード制御用埋込型面発光レーザ
- C-4-12 偏波制御面発光レーザ
- C-3-96 面発光レーザとポリマー光導波路を用いた光インターコネクションの検討
- C-3-89 850nm帯偏波制御型(311)B面上面発光レーザの伝送特性の検討
- 偏波制御型850nm帯(311)B GaAs基板上面発光レーザの偏波安定性及び伝送特性の検討
- 面発光レーザを用いたポリマー光導波路の損失測定
- 光横注入型双安定レーザ(SILC-BLD)を用いた高速光NRZ信号の光直接DEMUX動作
- Wafer fusion を用いた1.55μm帯面発光レーザ
- 2段構成ディジタル再生型フリースペース光スイッチの実験
- 面形光スイッチ(EARS)の素子動作特性
- p型シリコンにおける超高速キャリア・フォノンダイナミクスの観測
- 60Gbps級並列光インタコネクトモジュール(ParaBIT-1F)の開発
- 60Gbps級並列光インタコネクトモジュール(ParaBIT-1F)の開発
- InGaAs/InGaAsP系電界制御型MQW双安定レーザの動作速度限界の解析
- インタコネクション用光デバイス
- 並列光インターコネクション用面発光レーザ、受光素子アレイ
- 無給電光無線基地局を用いた5GHz帯双方向伝送
- B-5-302 無バイアスで動作する電界吸収型変調器の3次相互変調歪特性
- B-5-262 無給電アンテナ局を用いた双方向光マイクロ波伝送
- 頂角可変プリズムを用いたアクティブアライメント型超並列ボード間光インタコネクション
- 面発光レーザスマートピクセル集積技術の検討
- B-10-133 50Gb/s級並列光インタコネクトモジュール : ParaBIT-1Fの開発(1)
- 並列光インタコネクトモジュール(ParaBIT-1F)の実装技術
- 25Gb/s級40ch光インタコネクション(ParaBIT)の開発(4) : ポリマー光導波路を用いた光結合構造
- 並列光インタコネクションParaBITの開発
- 並列光インターコネクション用0.85μm帯面発光レーザ
- 探針集光型トンネル電子発光顕微鏡による量子構造評価
- 探針集光型トンネル電子発光顕微鏡による量子構造評価
- 超並列光インタコネクション(ParaBIT) (特集論文 光インタコネクションとその実装技術)
- B-7-94 シェアドアクセスネットワーク上に構築する映像配信システムの優先制御方法
- R&Dホットコーナー 850nm帯面発光型レーザ(VCSEL)の開発
- 面発光レーザの進展 (特集 時代はメタル配線から光配線へ 光回路実装探検隊)
- 面型光スイッチアレイ(EARS)の研究 (光エレクトロニクスデバイスの研究)
- 高次高調波パルスによるGaAs表面起電力効果の時間分解計測
- IN(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価