InGaAs/InGaAsP系電界制御型MQW双安定レーザの動作速度限界の解析
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概要
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双安定レーザは光情報処理用のメモリ・論理機能素子として期待される。我々はこれまで、多重量子井戸(MQW)構造の導入によるヒステリシス特性の制御性向上、高速スイッチングOFF特性を報告してきた。しかし、動作解析に関しては可飽和吸収領域からキャリア・エスケープの電界依存性を考慮した報告はなく、その詳細な解析が求められていた。今回、我々はキャリア・エスケープ時間の評価結果を解析上考慮に入れ、InGaAs/InGaAsP系電界制御型MQW双安定レーザのスイッチング動作速度の律速要因及び限界を見積もったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
高橋 亮
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
植之原 裕行
Nttアクセスサービスシステム研究所
-
岩村 英俊
Ntt光エレ研
-
河村 裕一
NTT光エレクトロニクス研究所
-
植之原 裕行
NTT光エレクトロニクス研究所
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