Wafer fusion を用いた1.55μm帯面発光レーザ
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概要
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Waferfusionを用いた長波長帯面発光レーザについて検討を行った。InP/GaAsのWafer fusionにおいて、接着界面から発光層の厚さが5000Å以上のとき、Wafer fusion前後でPL強度に変化は見られないことがわかった。また長波長帯面発光レーザとして、活性層の両側にInGaAsP/InP DBRを挟み、AlAsGaAsDBRとwafer fusionされた構造を提案した。この構造は結晶劣化が少なく、且つ発振波長制御に有力な構造である。実際に本構造の面発光レーザを作製し、23℃で閾値電流8 8mA、間借電圧2 1 Vで連続発振を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-02-14
著者
-
黒川 隆志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
伊藤 義夫
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
大磯 義孝
NTTフォトニクス研究所
-
竹ノ内 弘和
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天野 主税
NTT光エレクトロニクス研究所
-
天野 主税
Nttフォトニクス研究所
-
大礒 義孝
NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
NTTフォトニクス研究所
-
舘野 功太
NTT光エレクトロニクス研究所
-
田所 貴志
NTT光エレクトロニクス研究所
-
大磯 義孝
NTT光エレクトロニクス研究所
-
竹ノ内 弘和
東日本電信電話株式会社
-
Takenouchi Hirokazu
Ntt Photonics Labs. Ntt Corporation
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