並列光インターコネクション用面発光レーザ、受光素子アレイ

概要

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交換機あるいはコンピュータの大容量化、高速化に伴い、装置間、ボード間配線に光の空間並列性を最大限に利用した並列光インターコネクションを適用することは非常に魅力的である。面発光レーザは通常の導波路型レーザと比較して、単一縦モード発振、集積性、並列性、基板レベルでの検査可能など大きな特徴を持ち、1989年に東工大で室温CW発振が確認されて以来、現在に至るまで様々な研究機関で研究が行われている。面発行レーザの光インターコネクションへの応用には、その光源並列性は非常に魅力的であるが、受光素子との波長整合性を考えると0.85μm帯面発光レーザアレイが有望である。我々はこれまで0.85μm帯においてレーザ光を基板表面から出射させる上面発光型、0.85μmで透明なAlCaAsを基板を用いた下面発光型の両方について8×8,64ビット面発光レーザアレイを制作し検討を行ってきた。これは、0.85μm帯では通常基板として不透明なGaAsを用いているため基板表面側からレーザ光を取り出す、いわゆる上面発光型に限られているが、下面発光型の方が素子の熱放散あるいは両面アクセス構造などを考えると有利である。一方、これに対応した受光素子アレイについては一次元については報告例があるが、二次元についてはこれまで報告例がなく、検討されていない。受光素子アレイは通常の受光感度、暗電流などの問題に加えて、アレイ特有の問題である均一性、クロストークなどの問題が重要になってくる。このような観点から今回、我々は光インターコネクションを目指して、0.85μm帯8×8面発光レーザアレイ、受光素子(pinフォトグイオード)アレイを作製し評価を行ったので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-03-27

並列光インターコネクション用面発光レーザ、受光素子アレイ

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