ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価

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概要

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• 近年Geを用いたMIS構造が次世代のデバイス候補として注目を集めているが、界面の品質向上が課題となっている。これまでに我々はECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマ法により界面準位密度の低いGe-MIS構造の作製に成功し、DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法による評価が有効であることを示した。本報告ではこれまでのDLTS評価によって見つかったバルク中または絶縁膜中と思われる未知のトラップについてDLTSのパルス幅依存性測定を行い、DLTS信号の起源が絶縁膜中のトラップであることを明らかにした。さらにC-t測定により、C-Vのヒステリシスの原因と思われるトラップについて評価を行った。

• 2011-08-03

著者

• 岡本 浩

  弘前大学大学院理工学研究科

• 小野 俊郎

  弘前大学大学院理工学研究科

• 鈴木 聡一郎

  弘前大学大学院理工学研究科

• 佐藤 真哉

  弘前大学大学院理工学研究科

• 岩崎 拓郎

  弘前大学大学院理工学研究科

• 福田 幸夫

  諏訪東京理科大学システム工学部

• 岡本 浩

  弘前大学大学院 理工学研究科

• 福田 幸夫

  諏訪東京理科大学

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