30a-S-7 非極性半導体の正孔の散乱と移動度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
関連論文
- 1a-B-9 GaAs中の正孔の散乱機構と移動度
- 1a-B-7 p-GeSi合金のサイクロトロン共鳴とHall移動度
- 2p-F-4 Ge/Si合金系の価電子帯構造と正孔の移動度
- 1a-Pβ-36 非極性半導体における正孔の移動度
- 30a-S-8 非極性半導体の正孔の状態密度と有効質量比
- 30a-S-7 非極性半導体の正孔の散乱と移動度
- 13p-PS-29 NbS_3の構造と相転移
- 31a-H-8 強磁性微粒子分散高分子の磁気的性質
- 2Ba13 低pHストレスおよび高塩ストレス状態におけるモヤシマメ幼根の膨圧低下に及ぼす外液Ca^の保護作用
- 31a-A-16 (Cr_Fe_x)Geの磁性(II)
- 31a-A-15 (Cr_Mn_x)Geの磁気的及び電気的性質
- 3p-A-20 InGaAs/InP系材料のパルス磁場下における横磁気フォノン共鳴
- 3a-A-13 強磁場におけるエピタキシャルn-InPの磁気抵抗
- 1a-KC-7 パルス強磁場におけるn型InPの横磁気フォノン共鳴
- 3Ea11 モヤシマメ幼根根端細胞膜での電子伝達系
- 3Ea08 モヤシマメプロトプラストの電子伝達系に与えるCa^の効果
- 1Ep-3 マメ科植物プロトプラストの表面電荷密度測定
- 2Ea-3 モヤシマメ幼根の膨圧に対する浸透圧ストレスの影響
- 2Ea-2 モヤシマメ幼植物の伸長生長に及ぼす外部pHの影響
- 3p-S-1 ガス中蒸発法により作成したPd超微粒子の格子振動
- 29p-PS-20 非晶質Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 2Bp09 塩ストレス下におけるモヤシマメ幼根の伸長生長と細胞内 K^+ 濃度に及ぼす外液 Ca^ 濃度の影響
- 2Ep-5 In vivo ^P-NMRによるコクズ幼根およびそのプロトプラストのリン酸代謝の研究
- 4p-WB-4 GaAsにおける正孔のイオン化不純物散乱(phase shift法)
- 27a-PS-21 リエントラント・スピングラスCr_Mn_xGeの交流磁化率
- 29p-PS-2 リエントラントスピングラスCr_Mn_xFe_yGeの磁化過程
- 29p-PS-1 Cr_Mn_xGeの交流磁化率
- 5a-L-12 リエントラントスピングラスCr_Mn_xGeの輸送現象
- 27a-PS-20 リエントラントスピングラスCr_Mn_xGeの電気抵抗及び磁気抵抗
- 2Bp10 モヤシマメ幼根の細胞内 pH,ATP レベルにおよばず低温処理の影響 ^P-NMRを用いた研究
- 3a-NL-15 P型シリコン中のイオン化不純物による正孔の散乱と移動度
- 2a-G-1 Si及びGeの価電子帯のエネルギ構造
- 14a-E-12 差分法を用いたGaAsの正孔の移動度
- 14a-E-11 GaAs_Px中正孔の散乱機構と移動度
- 1p-H-7 スピングラスNiMn-Ni2層薄膜の電気抵抗および磁気抵抗
- 1p-H-6 スピングラスNia_Mn_の誘導磁気異方性
- 5a-PS-4 スピングラスNiMn合金薄膜の電気抵抗及び磁気抵抗
- 6a-S3-4 非晶質Cr_Fe_xGe合金の構造と磁性
- 最大エントロピ-法による核磁気共鳴スペクトルの推定
- 2a-KG-7 Cr_Mn_xGeの磁性II
- 31a-M1-8 Cr_Mn_xGeのスピングラス発生機構(磁性(スピングラス))
- 27p-PS-15 Cr_Mn_xGeの交流磁化率II(磁性ポスターセッション)
- 31p-M1-4 リエントラント・スピングラスNi-Mn合金の熱電能と電気抵抗(磁性(スピングラス,低次元))
- 31p-PS-23 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 2p-D5-9 強磁性に近い金属間化合物CrGeに対するMn, Feの置換効果(2p D5 磁性(遍歴磁性体))
- 31p-PS-24 Cr_Mn_xFe_yGeのスピングラス発生機構II(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 31a-D2-9 非晶質Cr_Mnx Geの磁性(31a D2 磁性(アモルファス合金))
- 31a-D3-9 Cr_MnxGeの磁性III(31a D3 磁性(スピングラス))
- 31p-PS-25 非晶質合金Cr_xGe_の構造と磁性(磁性(磁性理論及びスピングラス))
- 29a-F-9 電気抵抗および磁気抵抗から見た多結晶Cr_Mn_xGeの性質(29a F 磁性(スピングラス・ランダム))
- 30a-PS-24 非晶質Cr_Mn_xGeの磁性 III(磁性ポスターセッション)
- 1p-D2-10 GaAs中正孔のイオン化不純物散乱のphase shift(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
- 1p-UA-5 非晶質Cr_xG_合金の構造と電気抵抗