22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
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概要
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Adsorption behavior on GaAs surfaces is theoretically investigated in conjunction with thin film growth Simulation. Based on the ab initio calculations. Electron counting Monte Carlo (ECMC) simulation successfully predicts adsorption behavior of Ga, As and Si on various GaAs surfaces including (001) and (111) A. This implies that quantum mechanical approach is indispensable for clarifying adsorption behavior on semiconductor surfaces.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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