電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
立方晶GaNの成長過程と構造安定性(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
-
InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
-
半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
-
半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
-
SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
-
27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
-
1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
-
31p-YK-11 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造II
-
6a-A-12 梯子状As高分子の分子構造と電子構造
-
7a-S-3 InAs/GaAs(110)ヘテロ接合におけるミスフィット転位の電子構造
-
28p-E-14 Si中線状欠陥の電子構造
-
29p-WE-6 タンパク質ナノチューブの電子構造
-
29a-WE-11 アミノ酸側鎖におけるベンゼン環の電子論的考察
-
ハロゲン化シリコン高分子の電子構造
-
水素化ゲルマニウムクラスターの安定構造と電子状態
-
3a-K-10 水素化シリコンの安定構造と電子状態
-
3a-F-7 5員環-7員環BCシートの電子状態
-
シリコン量子平面の電子構造と物理
-
30a-X-9 梯子状砒素高分子の電子構造
-
シリコン低次元系の電子構造と光学応答 - シリコン発光材料の設計指針 -
-
01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
-
15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
-
13p-DC-7 シリコン量子細線の電子構造 : 細線方向依存性
-
29a-H-8 GaAs(001)面上Ga吸着原子の拡散係数
-
27a-Y-12 GaAs(001)面上Ga原子拡散の断熱ポテンシャル面とその被覆率依存性
-
27p-ZF-7 シリコン量子細線の可視発光 : バンド構造と1次元励起子
-
ボンドエンジニアリングによる半導体超格子設計
-
6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
-
GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
-
GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
-
Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
-
GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
-
22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
-
27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
-
26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
-
水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
-
先端追跡
-
23pZN-9 まとめ : 原子レベルの酸化機構とマクロスコピックな酸化現象との関係
-
シリコン表面プロセスにおける水素の役割と挙動
-
InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
InGaNの非混和性に対する基板拘束の寄与 : 成長界面III
-
電子の立場から眺めた半導体薄膜成長過程--半導体表面での電子のキャッチボ-ル
-
GaAsエピ成長中のGa吸着原子の役割
-
31a-J-4 GaAs(001)面における原子の吸着とエレクトロンカウンティングモデルの関係
-
30p-Q-13 シロキセン・ゲルモキセンの励起子構造
-
30p-Q-12 シロキセン・ゲルモキセンの電子構造
-
30p-Q-11 Si微結晶の可視発光と表面効果
-
1a-ZA-5 タンパク質の電子構造
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク