ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• シリサイドに高濃度ドーピングを行うと仕事関数が制御できること,その際ドーパントの置換サイトの選択が鍵であることを,第一原理理論計算を用いて明らかにした.特に,これらドーピング特性は,自然界にNi (Au)シリサイドが存在できる(できない)いうシリサイドの物理(基本的性質)に深く関係することを解明した.これら結果は将来の10nmデバイスの電極を開発する上での指針となる.

• 2011-01-24

著者

• 知京 豊裕

  物材機構

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 中山 恒義

  北大院工

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 知京 豊裕

  物質材料機構

• 中塚 理

  名古屋大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 大毛利 健治

  早稲田大学

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 中山 隆史

  千葉大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研

• 財満 鎭明

  名古屋大学先端技術共同研究センター

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究科基盤理学専攻

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構 半導体材料センター

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 知京 豊裕

  物材機構:comet-nims:科技機構戦略

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• 中山 隆史

  干葉大理

• 松木 武雄

  早稲田大学:jst-crest

• 角嶋 邦之

  東京工業大学

• 五月女 真一

  千葉大学理学研究料

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 町田 義明

  千葉大学理学研究料

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 財満 鎭明

  名古屋大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学研究料

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

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