上村 洸 | 東大・理
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概要
関連著者
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上村 洸
東大・理
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上村 洸
東大理物理
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中尾 憲司
筑波大学物質工学系
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中尾 憲司
東大・理
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上村 洸
東京理科大学総合研究機構
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大貫 惇睦
筑波大物質工
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大貫 惇睦
埼玉工大
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稲田 ルミ子
東大物性研
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押山 淳
東大理
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島 信幸
東大・理
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押山 淳
東大・理
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白石 賢二
東大・理
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山中 昭司
広島大・工
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田沼 静一
東大物性研
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山口 豪
東大理
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大野 隆央
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東大理
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黒部 篤
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大野 隆央
東大・理
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千葉大・理
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山口 豪
東大・理
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夏目 雄平
東大 理
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中山 隆史
東大・理
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中山 隆史
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斉藤 理一郎
東大・理
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鈴木 直
阪大基礎工
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田沼 静一
いわき明星大理工
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山中 昭司
広島大工
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中山 隆史
千葉大理
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清水 達雄
東大・理
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鈴木 直
東大・理
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上村 洸
東京大学理学部物理学教室
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島 信幸
姫路工大理
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中山 隆史
千葉大学
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黒部 篤
東芝総研
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竹森 直
東大理
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山中 昭司
広島大工・応用科学
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井下 猛
科学技術振興事業団
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井下 猛
東大・理
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白石 賢二
東京大学理学部物理学教室
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清水 達雄
東大、理
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Nakao Koichi
Department Of Physics Faculty Of Science The University Of Tokyo:the Institute For Solid State Physi
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田沼 静一
東大・物性研
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稲田 ルミ子
東大・物性研
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夏目 雄平
東大・理
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石野 隆
東大・理
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斎藤 理一郎
東大・理
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畠山 哲夫
東大・理
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竹森 直
東大・理
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押山 淳
NEC・基礎研
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渡辺 聡
東大・理
著作論文
- 2次元反強磁性体に於ける : 2-マグノン吸収,マグノン-サイドバンド
- Variable Range Hopping伝導領域での磁気抵抗 : 状態内クーロン相関の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 30a-K-5 サイト内相関のあるホッピング伝導
- 5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
- 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造とC軸方向電荷分布(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
- 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
- 29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
- 金属・非金属転移(第21回物性若手「夏の学校」開催後記)
- 5a-D-13 正二十面体対称性を持つホウ素固体の電子構造
- 28a-A-1 Si-Al層状新物質の電子状態
- 2p-NL-9 遷移金属カルコゲナイドへのチウムのインターカレーションとバッテリー
- 2p-W-31 LiをインターカレートしたZrSe_2とTiS_2の電気的性質
- 4a-B-10 リシウム・遷移金属カルコゲナイド層間化合物の電気的性質とバッテリー性能
- 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
- 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
- 6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
- HoをドープしたYIGでのBiquadratic Exchange : 磁性(理論・金属間化合物)
- 3a-M-4 YIG,YGG中の稀土類イオンの磁気-光効果
- 31a-PS-43 ハイゼンベルグモデルにおけるMarshallの対称性
- 2p-KP-2 超格子の電子構造
- アンダーソン局在状態における電子間相互作用の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 6p-E-13 MnO中のμ中間スピン回転(μSR)におけるμOサイトの常磁性シフトの解析
- 5p-PS-49 銅酸化物高温超伝導体の常伝導相に於けるホール効果の理論
- 14 高ステージ・グラファイト層間化合物の理論 : 電荷密度汎関数法による計算(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
- 31p-A-6 酸化物高温超伝導体のバンド構造(主題:酸化物超伝導体-常伝導相の基礎物性を中心として,半導体シンポジウム)
- 29p-LD-2 超薄膜半導体超格子GaAs/AlAsの光吸収スペクトル(半導体)
- 28p-LE-4 GaAs中の遷移金属不純物の電子状態(半導体)
- 1a-EA-12 (CH)xのバイブロニック状態とESR線巾の理論(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1a-D1-9 非晶質半導体の磁気抵抗の理論(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
- 27a-JG-6 新超伝導物質の理論的設計(低温)
- 29a-FC-1 半導体のバンドギャップに対する自己エネルギー効果とchemical trend(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 27p-LD-8 グラファイトの電子及び陽電子状態(半導体)