31a-PS-43 ハイゼンベルグモデルにおけるMarshallの対称性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1990-03-16

著者

• 上村 洸

  東京理科大学総合研究機構

• 上村 洸

  東大・理

• 上村 洸

  東大理物理

• 石野 隆

  東大・理

• 斎藤 理一郎

  東大・理

関連論文

• 磁場中ペンローズ格子の電子状態(クエイサイクリスタルの構造と物性,科研費研究会報告)
• 30aZB-8 電子エントロピーに基づく電子状態の検討
• 27aK-1 アンダードープ領域銅酸化物超伝導体におけるZnドーピングによる電子・スピン状態の変化
• 28a-YC-5 擬ギャップのミクロな起源
• 28a-YC-4 アンダードープ領域銅酸化物超伝導体におけるパウリ磁化率の抑止
• 理学部研究ニュース
• 2次元反強磁性体に於ける : 2-マグノン吸収,マグノン-サイドバンド
• 理学部研究ニュース
• 酸化物超導体中CuO_6八面体・CuO_5ピラミッド・クラスターの多電子状態と伝導機構
• 30a-S-2 YBa_2Cu_3O_7におけるCuO_5ピラミッドのスピン・電子状態へのCu-O chain内CDWの影響
• 計算機による物質の設計と現象の解明
• 27a-YN-16 GaP/AIP短周期超格子における励起子の磁場の下での振舞い
• 30p-R-4 GaP/AlP短周期超格子の磁場下励起子状態
• 3a-X-11 GaP/AlP短周期超格子多重量子井戸構造の電子状態と光学特性
• アンダ-ソン局在相における電子間相互作用--不純物半導体を中心に
• Variable Range Hopping伝導領域での磁気抵抗 : 状態内クーロン相関の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 30a-K-5 サイト内相関のあるホッピング伝導
• 5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
• 2p-A-8 GICの軌道帯磁率 : ステージ依存性
• 4a-KH-10 GICの軌道帯磁率
• 21aWF-9 銅酸化物高温超伝導体における擬ギャップの起源(高温超伝導(理論),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 相転移を示す水素結合系におけるプロトン伝導の現象(2)理論の立場から
• 23pWB-2 超プロトン伝導体M_3H(XO_4)_2のテラヘルツ時間領域分光測定(23pWB 超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• 28pWF-5 「上村・諏訪モデル」に基づく高温超伝導機構の考察
• 酸化物超伝導体電子状態に対する新しいアプローチ「上村・諏訪モデル」
• 特集 : 小柴名誉教授のノーベル賞授賞
• 29pYA-15 強磁場下タイプII型超格子における励起子状態と異常発光現象の研究
• 24pSC-7 擬ギャップのミクロな起源
• 24pL-1 GaP/AlP短周期超格子の強磁場下束縛励起子状態に関する変分計算
• 28a-YC-3 Bi_2Sr_2CaCu_2O_中のCuO_5ピラミッドの電子状態の第一原理変分計算と超伝導電子状態
• 28a-YC-2 局在スピン・キャリア系の分離によるYBa_2Cu_3O_7超伝導体(Tc=90K)の多電子バンド構造とフェルミ面の計算
• 30a-S-1 銅酸化物超伝導体におけるT_cのスピン相関距離依存性
• 31a-YD-5 0次元水素結合系物質M_3H(XO_4)_2の相転移と電気伝導モデル
• 29a-J-2 第一原理による、超伝導及び常伝導相YBa_2Cu_3O_中におけるCuO_5ピラミッドの電子状態
• 13a-DE-1 短周期超格子(GaP)_n(AlP)_nの電子構造とその光学特性
• 12p-E-8 インターカレーション化合物 8. : 層間電荷分布と磁気的性質
• 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造とC軸方向電荷分布(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
• 31p-R-4 拡張2階屋モデルのフェルミ面とクーパー対の対称性
• 31p-R-3 拡張2階屋モデルにおける電子格子相互作用の計算とフォノン機構に基ずく超伝導発現機構の考察
• 31p-R-2 超伝導濃度領域における多体効果を含んだキャリアー状態とフェルミ面構造
• 28a-YH-11 高温超伝導領域・常伝導相電子状態の理論
• 30p-PSA-6 2階屋モデルに基ずくTl_2Ba_2CuO_のホール係数と超伝導
• 27p-PS-121 Ls_Sr_xCuO_4系常伝導相の諸物性
• 5p-PS-51 La_Sr_xCuO_4のフェルミ面の形状
• 29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
• 3p-DS-9 アンダーソン局在状態での電子相関
• Co__3O_4及びCoAl_O_4のNMRとA-A相互作用
• 理学部研究ニュース
• 金属・非金属転移(第21回物性若手「夏の学校」開催後記)
• 5a-D-13 正二十面体対称性を持つホウ素固体の電子構造
• 2a-F-3 ホウ素の電子構造
• 6a-E4-6 ペンローズ格子における量子ホール効果
• 磁場中2次元ペンローズ格子の電子状態
• 30p-N-10 "拡張2階屋モデル"に基づく、 La_Sr_xCuO_4の偏光X線吸収スペクトルの理論と実験との比較
• 5p-PS-52 高温超伝導体におけるApical Oの効果
• 28a-A-1 Si-Al層状新物質の電子状態
• 2p-NL-9 遷移金属カルコゲナイドへのチウムのインターカレーションとバッテリー
• 2p-W-31 LiをインターカレートしたZrSe_2とTiS_2の電気的性質
• 4a-B-10 リシウム・遷移金属カルコゲナイド層間化合物の電気的性質とバッテリー性能
• 高温超伝導の起源と常伝導相の解明
• 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
• 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
• 6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
• HoをドープしたYIGでのBiquadratic Exchange : 磁性(理論・金属間化合物)
• 3a-M-4 YIG,YGG中の稀土類イオンの磁気-光効果
• 31a-PS-43 ハイゼンベルグモデルにおけるMarshallの対称性
• Professor Sir Nevill Mott を偲んで
• 31p-PSA-6 水素結合型誘電体 M_3H(XO_4)_2[M=Rb, Cs, X=S, Se]におけるイオン伝導理論
• 31p-R-1 超伝導濃度領域における電子状態と"拡張2階屋モデル"の導出
• 28p-YL-8 B正20面体クラスター固体を中心とした新クラスター固体の理論的探索
• 2a-YD-10 a_b_スピン結合モデルの数値対角化による研究
• 28a-YH-12 電子ドープNd_Ce_XCuO_4の電子状態とホール係数のドーピング依存性
• 29a-G-6 新ボロン系物質A_xB_の安定性と超伝導可能性
• 12a-S-12 高温超伝導物質の超伝導発現ドーピング濃度領域での常伝導状態のスピン帯磁率
• 12p-DC-15 高温超伝導相の常伝導電子状態と偏光X線吸収スペクトル
• 30p-PSA-7 電子ドープ系Nd_M_xCuO_4の電子状態とその物性
• 31p-N-2 ボロン・インターカレーション化合物A_xB_による超伝導
• 国際社会での「決議三」( 四半世紀を迎えた「決議三」)
• 2p-KP-2 超格子の電子構造
• 28p-APS-37 高温超伝導体の常伝導相における一様帯磁率について
• 24p-M-4 GaAs-AlAsフィボナッチ超格子の電子状態
• アンダーソン局在状態における電子間相互作用の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 6p-E-13 MnO中のμ中間スピン回転(μSR)におけるμOサイトの常磁性シフトの解析
• 5p-PS-49 銅酸化物高温超伝導体の常伝導相に於けるホール効果の理論
• 27p-X-2 電子状態の理解はどこまで進んだか?
• 武石喜幸さんを偲ぶ
• 第20回半導体物理国際会議
• 博士論文を対象とした論文賞
• Comment on Anomalies in K_Rb_xC_8 (2)
• 銅酸化物系における超伝導機構と磁性(基研短期研究計画『層状複合化合物の秩序化と乱れ-層間化合物,超伝導化合物,量子反強磁性体-』,研究会報告)
• 14 高ステージ・グラファイト層間化合物の理論 : 電荷密度汎関数法による計算(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
• 31p-A-6 酸化物高温超伝導体のバンド構造(主題:酸化物超伝導体-常伝導相の基礎物性を中心として,半導体シンポジウム)
• 29p-LD-2 超薄膜半導体超格子GaAs/AlAsの光吸収スペクトル(半導体)
• 28p-LE-4 GaAs中の遷移金属不純物の電子状態(半導体)
• 1a-EA-12 (CH)xのバイブロニック状態とESR線巾の理論(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1a-D1-9 非晶質半導体の磁気抵抗の理論(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 27a-JG-6 新超伝導物質の理論的設計(低温)
• 29a-FC-1 半導体のバンドギャップに対する自己エネルギー効果とchemical trend(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 27p-LD-8 グラファイトの電子及び陽電子状態(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク