6p-E-13 MnO中のμ中間スピン回転(μSR)におけるμOサイトの常磁性シフトの解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2次元反強磁性体に於ける : 2-マグノン吸収,マグノン-サイドバンド
-
Variable Range Hopping伝導領域での磁気抵抗 : 状態内クーロン相関の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
-
30a-K-5 サイト内相関のあるホッピング伝導
-
5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
-
高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造とC軸方向電荷分布(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
-
3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
-
29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
-
金属・非金属転移(第21回物性若手「夏の学校」開催後記)
-
5a-D-13 正二十面体対称性を持つホウ素固体の電子構造
-
28a-A-1 Si-Al層状新物質の電子状態
-
2p-NL-9 遷移金属カルコゲナイドへのチウムのインターカレーションとバッテリー
-
2p-W-31 LiをインターカレートしたZrSe_2とTiS_2の電気的性質
-
4a-B-10 リシウム・遷移金属カルコゲナイド層間化合物の電気的性質とバッテリー性能
-
1a GP-8 TMMCのEPRにおける低対称的スピン配列の効果
-
5p-DS-13 rf-Ho 磁場面内にchoin軸を含む場合の1-α系EPR
-
29p-PSA-15 三角格子AF1イオン型異方性系のスピン波における量子効果
-
27a-L-3 量子反強磁性系のマグノン・ラマン散乱 : 修正スピン波にもとづくスペクトル計算
-
2a-X-10 2次元量子反強磁性系の副格子磁化消失相における高橋型マグノン・ラマン散乱の理論
-
30a-TD-8 銅酸化物量子スピン系の副格子磁化消失相における高橋型マグノン・ラマン散乱の理論
-
28. 2次元XY型交換相互作用系スピングラス渦構造パターンの動力学シミュレーション(基研研究会「パターン形成,その運動と統計」,研究会報告)
-
8. 強磁性・反強磁性相互作用競合系に対するスピン動力学シミュレーション(スピングラス(リエントラント転移を中心として),研究会報告)
-
2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
-
1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
-
6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
-
7a-Q-7 一次元金属(SN)_xポリマーのバンド構造II光学スペクトルの解析
-
HoをドープしたYIGでのBiquadratic Exchange : 磁性(理論・金属間化合物)
-
3a-M-4 YIG,YGG中の稀土類イオンの磁気-光効果
-
31a-PS-43 ハイゼンベルグモデルにおけるMarshallの対称性
-
2p-KP-2 超格子の電子構造
-
アンダーソン局在状態における電子間相互作用の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
-
30p-L-4 一次元ハイゼンベルグ型磁性体におけるスピンのゼロ磁場緩和の動的理論
-
6p-E-13 MnO中のμ中間スピン回転(μSR)におけるμOサイトの常磁性シフトの解析
-
12p-H-7 一次元金属(SN)_xポリマーのバンド構造
-
4a-Q-3 局在電子における振動誘起光学遷移とそのバイプロニック構造
-
24a-H-15 パリティ禁止遷移におけるマルチ・フォノン・サイドバンド
-
13p-M-5 強磁性半導体中の常磁性F'中心
-
3a-T-3 CdCr_2S_4等クロミウム・カルコゲナイド・スピネルの吸収端の構造について
-
5p-PS-49 銅酸化物高温超伝導体の常伝導相に於けるホール効果の理論
-
5p-DS-12 一次元磁性体のEPRにおける低対称性シフト
-
26p-J-9 正方格子量子反強磁性体基底状態 : 対角化数値解と拡張型RVB変分解に基づく考察
-
正方格子量子ハイゼンベルク反強磁性フラストレーション系にドープされたスピンの効果
-
29p-PSA-35 次元S-1ハイゼンベルグ反強磁性体基底状態の考察
-
14 高ステージ・グラファイト層間化合物の理論 : 電荷密度汎関数法による計算(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
-
31p-A-6 酸化物高温超伝導体のバンド構造(主題:酸化物超伝導体-常伝導相の基礎物性を中心として,半導体シンポジウム)
-
29p-LD-2 超薄膜半導体超格子GaAs/AlAsの光吸収スペクトル(半導体)
-
28p-LE-4 GaAs中の遷移金属不純物の電子状態(半導体)
-
30p-BD-9 協力的格子歪を持つ希釈層状物質K_2Cu_xZn_F_4のラマン散乱 : 温度変化(30p BD イオン結晶・光物性(低次元,層状物質))
-
1a-EA-12 (CH)xのバイブロニック状態とESR線巾の理論(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
-
1a-D1-9 非晶質半導体の磁気抵抗の理論(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
-
27a-JG-6 新超伝導物質の理論的設計(低温)
-
29a-FC-1 半導体のバンドギャップに対する自己エネルギー効果とchemical trend(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
-
27p-LD-8 グラファイトの電子及び陽電子状態(半導体)
-
29p-F-2 混晶系磁気共鳴の動力学シミュレーション(29p F 磁気共鳴)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク