3a-M-4 YIG,YGG中の稀土類イオンの磁気-光効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1968-04-01

著者

• 山口 豪

  東大理

• 上村 洸

  東大・理

• 山口 豪

  東大・理

関連論文

• 2次元反強磁性体に於ける : 2-マグノン吸収,マグノン-サイドバンド
• Variable Range Hopping伝導領域での磁気抵抗 : 状態内クーロン相関の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 30a-K-5 サイト内相関のあるホッピング伝導
• 5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
• 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造とC軸方向電荷分布(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
• 29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
• 4a-K-6 YCrO_3の励起子線の磁場効果 : 理論
• 金属・非金属転移(第21回物性若手「夏の学校」開催後記)
• 5a-D-13 正二十面体対称性を持つホウ素固体の電子構造
• 28a-A-1 Si-Al層状新物質の電子状態
• 2p-NL-9 遷移金属カルコゲナイドへのチウムのインターカレーションとバッテリー
• 2p-W-31 LiをインターカレートしたZrSe_2とTiS_2の電気的性質
• 4a-B-10 リシウム・遷移金属カルコゲナイド層間化合物の電気的性質とバッテリー性能
• 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
• 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
• 6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
• 7p-B-16 II-VI族半導体中の深い不純物準位とそのバイブロニックな構造
• 4p-TB-7 YIG中でのHoイオンと鉄イオンとの間の異方的交換相互作用
• 3p-GB-5 ZnO中にドープされたCu^イオンのダイナミカル・ヤーン・テラー
• ZnO中にCuイオンの入った系のヤーン・テラー効果 : 磁性 (理論)
• ヤーン・テラー効果で誘起される光学遷移 : 半導体, 光物性, イオン結晶合同シンポジウム : 電子格子相互作用による局在励起
• HoをドープしたYIGでのBiquadratic Exchange : 磁性(理論・金属間化合物)
• 3a-M-4 YIG,YGG中の稀土類イオンの磁気-光効果
• 8a-S-14 希土類オーソ・クロマイトの温度誘起スピン再配列
• 31a-PS-43 ハイゼンベルグモデルにおけるMarshallの対称性
• 2p-KP-2 超格子の電子構造
• アンダーソン局在状態における電子間相互作用の効果(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
• 6p-E-13 MnO中のμ中間スピン回転(μSR)におけるμOサイトの常磁性シフトの解析
• 5p-PS-49 銅酸化物高温超伝導体の常伝導相に於けるホール効果の理論
• 14 高ステージ・グラファイト層間化合物の理論 : 電荷密度汎関数法による計算(凝縮系種々相の最近の展望,科研費研究会報告)
• 31p-A-6 酸化物高温超伝導体のバンド構造(主題:酸化物超伝導体-常伝導相の基礎物性を中心として,半導体シンポジウム)
• 29p-LD-2 超薄膜半導体超格子GaAs/AlAsの光吸収スペクトル(半導体)
• 28p-LE-4 GaAs中の遷移金属不純物の電子状態(半導体)
• 1a-EA-12 (CH)xのバイブロニック状態とESR線巾の理論(1a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1a-D1-9 非晶質半導体の磁気抵抗の理論(1a D1 半導体(アモルファス),半導体)
• 27a-JG-6 新超伝導物質の理論的設計(低温)
• 29a-FC-1 半導体のバンドギャップに対する自己エネルギー効果とchemical trend(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 27p-LD-8 グラファイトの電子及び陽電子状態(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク