YAMADA K. | Waseda University

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概要

• 同名の論文著者
• Waseda Universityの論文著者

関連著者

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構 半導体材料センター

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• AKASAKA Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• CHIKYOW T.

  National Institute of Materials Science

• YAMADA K.

  Waseda University

• 知京 豊裕

  物材機構

• CHANG K.-S.

  National Institute for Standards and Technology

• GREEN M.

  National Institute for Standards and Technology

• Nara Y.

  Semiconductor Leading Edge Technology Inc.

• 知京 豊裕

  金属材料技術研究所

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構

• Green M.

  National Institute Of Standards And Technology

• UMEZAWA N.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• UEDONO A.

  Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba

• OHMORI K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• CHIKYOW T.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• AHMET P.

  Tokyo Institute of Technology

• SHIRAISHI K.

  University of Tsukuba

• YAMABE K.

  University of Tsukuba

• WATANABE H.

  Osaka University

• AKASAKA Y.

  Selete

• NAKAJIMA K.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• YOSHITAKE M.

  Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science

• NAKAYAMA T.

  Chiba University

• KAKUSHIMA K.

  Tokyo Institute of Technology

• NARA Y.

  Selete

• IWAI H.

  Tokyo Institute of Technology

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Nakajima K.

  National Inst. for Material Science

• 吉武 道子

  物質・材料研究機構

• 吉武 道子

  「応用物理」 編集委員会

• Uedono A.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• 吉武 道子

  物質材料研究機構 半導体材料研究センター

• 大毛利 健治

  早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所

• MIYAGAWA K.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KARIYA A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHOJI H.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• AOYAMA T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• KUME S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIGETA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• OGAWA O.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• SHIRAISHI K.

  Tsukuba University

• UEDONO A.

  Tsukuba University

• YAMABE K.

  Tsukuba University

• YASUHIRA M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• ARIKADO T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (Selete)

• 吉武 道子

  金材技研

• Yamabe K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Arikado T.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Umezawa N.

  Advanced Electronic Materials Center National Institute For Materials Science

• Nakaoka T.

  Chiba University

• Kume S.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Shiraishi K.

  Graduate School Of Pure And Applied Sciences Univ. Of Tsukuba

• Shigeta M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Kariya A.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Yasuhira M.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• Akasaka Y.

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. (selete)

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

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著作論文

• Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
• Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors

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