有村 拓晃 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 細井 卓治

  大阪大学大学院工学研究科

• 有村 拓晃

  大阪大学大学院工学研究科

• 志村 考功

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学大学院工学研究科

• 北野 尚武

  大阪大学大学院工学研究科

• 大嶽 祐輝

  大阪大学大学院工学研究科

• 細井 卓治

  広島大学ナノデバイス・システム研究センター

• 佐伯 雅之

  大阪大学大学院工学研究科

• 奥 雄大

  大阪大学大学院工学研究科

• 力石 薫介

  大阪大学大学院工学研究科

• 渡部 平司

  大阪大学

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ株式会社

• 小須田 求

  キヤノンアネルバ

• 有村 拓晃

  大阪大学

• 奥 雄大

  大阪大学

• 細井 卓治

  大阪大学

• 志村 考功

  大阪大学

• 北野 尚武

  大阪大学

• 内藤 裕一

  産業技術総合研究所

• 山口 述夫

  キヤノンアネルバ

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 白石 賢二

  筑波大学

• 喜多 祐起

  大阪大学大学院工学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

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著作論文

• 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
• 金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 (シリコン材料・デバイス)
• TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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