宗片 比呂夫 | 東工大・像情報
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概要
関連著者
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宗片 比呂夫
東工大・像情報
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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宗片 比呂夫
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東大大工
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宗片 比呂夫
東京工業大学
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近藤 剛
東京工業大学
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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北本 仁孝
東工大総理工
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北本 仁孝
東京工業大学
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北本 仁孝
東京工大 大学院総合理工学研究科
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守谷 頼
東工大像情報
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谷山 智康
東工大総理工
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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谷山 智康
東工大応セラ研
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宗片 比呂夫
東工大院 像情報工学研究施設
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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大岩 顕
科技団さきがけ
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田仲 由喜夫
名大工
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大岩 顕
科技機構さきがけ
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濱屋 宏平
東工大総理工
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Tanaka Y
Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo
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溝川 貴司
東大新領域
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横山 毅人
東大工
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田仲 由喜夫
名大院工
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八木 創
愛媛大院・理工
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浅野 泰寛
北大工
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Golubov Alexander
Twente Univ
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横山 毅人
名大工
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三森 康義
東北大通研
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藤森 淳
東大新領域
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石田 行章
東大理
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黄 鐘日
東大新領域
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腰原 伸也
神奈川科学技術アカデミー:東工大理工
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八木 創
東大理
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高橋 公一
東工大理工
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八木 創
愛媛大院理工:名大院理
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ジャミル カオザル
東京工業大学 像情報工学研究施設
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野口 浩史
東京工業大学 像情報工学研究施設
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近藤 剛
東工大院 像情報工学研究施設
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Ott H.
Freie Univ. Berlin
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大輪 宙
東工大像情報
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穂坂 紀子
神奈川科学技術アカデミー
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松田 一成
神奈川科学技術アカデミー
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近藤 剛
東工大工
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物部 秀二
神奈川科学技術アカデミー
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宗片 比呂夫
東工大工
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斎木 敏治
神奈川科学技術アカデミー
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Alexander Golubov
Twente大
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柳 暁志
東工大院
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Tanuma Y
Nagoya Univ. Nagoya Jpn
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浅野 秦寛
北大
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三森 康義
通総研
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Tanaka Y
Suwa Trust Co. Ltd. Ohmori Tokyo
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加藤 裕明
東工大総理工
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浜屋 宏平
東工大総理工
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Golubov Alexander
Twente大
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斎木 敏治
慶応大 理工
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武智 宏人
東工大像情報
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遠藤 誉幸
東工大像情報
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SATO Tetsuya
National Institute for fusion Science
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斎木 敏治
慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー
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物部 秀二
科学技術振興機構さきがけ:KAST
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岡本 好弘
愛媛大学大学院理工学研究科
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横田 治夫
東京工業大学学術国際情報センター
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南 不二雄
東工大院理工
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山本 学
東京理科大学基礎工学部
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田仲 由喜夫
新潟大・理
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田仲由 喜夫
名古屋大
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山田 洋
東北大学電気通信研究所
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浦野 千春
産総研
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知京 豊裕
物質・材料研究機構 半導体材料センター
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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竹村 敏彦
早大理工
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大岩 顕
KAST
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Slupinski T.
KAST
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宗片 比呂夫
KAST
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竹村 敏彦
早大・理工
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寺崎 一郎
早大・理工
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大谷 義近
理研フロンティア
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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小林 暁
東工大・像情報
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奥田 治雄
NHK放送技術研究所
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北本 仁孝
東工大
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三田 英明
松下電器産業株式会社システム事業グループ
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小野 裕明
株式会社日立製作所ユビキタスプラットフォーム開発研究所
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齋藤 昇三
株式会社東芝セミコンダクター社
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仲谷 文雄
富士ゼロックス株式会社開発生産統括本部
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木村 崇
理研フロンティア
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田中 健一郎
東工大像情報
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谷山 智康
東工大応セラ研:jstさきがけ
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木村 崇
九大稲盛フロンティア
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中川 活二
日本大学理工学部電子情報工学科
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奥田 治雄
Nhk 放送技研
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奥田 治雄
湘南工科大学
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小泉 岳
東京工業大学
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野村 健太
東京工業大学
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白鳥 幸也
東京工業大学 像情報工学研究施設
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野口 浩史
東工大院 像情報工学研究施設
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ジャミル カオサル
東工大院 像情報工学研究施設
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近藤 剛
東工大像情報
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Ott H.
F.U. Berlin
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大輪 宙
東工大総合理工
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近藤 剛
東工大総合理工
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宗片 比呂夫
東工大総合理工
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アヘメト パールハット
物質・林料研究機構物質研
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小原 義久
東工大院
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羽根田 茂
東工大院
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横田 治夫
東京工業大学
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三田 英明
松下電器産業株武会社パナソニックavcネットワークス社
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三田 英明
松下電器産業株式会社 パナソニックavcネットワークス社
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宮下 英一
NHK放送技術研究所
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山本 学
東京理科大学
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澤 雄生
名大工
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高柳 英明
東理大理
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大岩 顕
東大物性研
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小野 裕明
株式会社日立製作所 コンシューマエレクトロニクス研究所
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小野 裕明
日立製作所コンシューマエレクトロニクス研究所
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小野 裕明
(株)日立製作所 ユビキタスプラットフォーム開発研究所
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中川 活二
日本大学工学部電子情報工学科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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横田 治夫
東京工大 大学院情報理工学研究科
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西沢 望
物材機構MANA
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板橋 宜幸
東理大
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高柳 英明
物材機構MANA
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TANAKA Yasumoto
Electrotechnical Laboratory
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家 泰弘
東大・物性研
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宮下 英一
Nhk放送技術研究所 撮像・記録デバイス研究部
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横田 治夫
東京工業大学学術国際センター|東京工業大学大学院情報理工学研究科計算工学専攻
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Slupinski T.
神奈川科学技術アカデミー
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兵屋 宏平
東工大総理工
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宗方 比呂夫
東工大像情報
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平澤 正勝
Crest
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Tanaka Y
Department Of Applied Physics Nagoya University:crest Japan Science And Technology Corporation (jst)
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Tanaka Y
The Institute Of Physical And Chemical Research
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齋藤 昇三
東芝
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橋本 佑介
東工大院像情報
-
宗片 比呂夫
東工大院像情報
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大岩 顕
科技機構 さきがけ
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大岩 顕
科学技術振興機構さきがけ
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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橋本 佑介
東工大院像情報:(現)nhk技研
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宗片 比呂夫
東工大(工)
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樫村 之哉
東工大像情報
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大岩 顕
神奈川科学技術アカデミー 光磁性半導体プロジェクト
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三森 康義
東工大・工
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守谷 頼
東工大・工
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宗片 比呂夫
神奈川科学技術アカデミー
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木村 崇
九大稲盛フロンティア研究センター
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仲谷 文雄
富士ゼロックス(株)dpsc研究開発センター
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仲谷 文雄
富士ゼロックス株式会社研究技術開発本部
-
仲谷 文雄
富士ゼロックス(株)
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齋藤 昇三
株式会社東芝 半導体システム技術センター
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腰原 伸也
東工大・理
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大岩 顕
東大・物性研
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平澤 正勝
東大・物性研
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勝本 信吾
東大・物性研
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浦野 千春
東大・物性研
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高木 英典
東大・物性研
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山本 学
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
仲谷 文雄
富士ゼロックス 研究技術開発本部
-
田仲 由喜夫
名大
-
能政 広毅
東工大像情報
-
高柳 英明
東理大総合研究機構
-
Tanaka Yoshimitsu
Department Of Metal Science And Technology Kyoto University:research And Development Laboratory Mats
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宗片 比呂夫
東工大
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南 不二雄
東工大院理
-
大岩 顕
神奈川科学技術アカデミー
-
奥田 治雄
湘南工科大
著作論文
- 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
- (Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
- 磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
- Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
- GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
- 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
- (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
- OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pTX-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
- 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
- 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
- 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
- (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
- 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
- スピントロニクスにおける材料研究の最前線
- 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
- 磁化の光誘起才差運動(実験)
- 24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- III-V族磁性混晶半導体とキャリア誘起強磁性
- 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-1 垂直磁気異方性を持つ強磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁化過程に対する光照射効果(磁性半導体)(領域4)
- 27pXJ-6 III-V族磁性半導体における光スピン注入現象(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 21pTH-3 (Ga, Mn)As 薄膜とその量子構造における光誘起スピンダイナミクス
- 31pYH-14 (Ga, Mn) As ベース量子井戸構造の磁性・伝導・磁気光学効果特性
- 17aYH-8 円偏光照射による(Ga,Mn)As薄膜の磁化反転とその記憶効果
- 2p-X-1 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの光誘起効果
- 磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))