OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
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概要
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ガラス基板上に分子線エピタキシー法を用いて作製した結晶性PDA-4U2薄膜について光吸収による評価をおこなった。その結果、分子配列の規則性が乱れてくるに従い、励起子吸収ピークが高エネルギー側へシフトすることを見出した。我々はこの現象を分子間での波動関数の重なりの減少として捉え、クローニッヒペニーモデルを用いて分子間距離の変化による基礎吸収端のシフトを議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
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