28a-YN-5 希薄磁性半導体(In,Mn)Asの低温における巨大なバルクハウゼンジャンプ

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1998-09-05

著者

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 橋本 義昭

  東大物性研

• 宗片 比呂夫

  東大大工

• 大岩 顕

  東大物性研

• 勝本 信吾

  科学技術振興事業団

• 家 泰弘

  科学技術振興事業団

関連論文

• 20pHV-9 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
• (Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
• 磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
• Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
• GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
• 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
• 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
• 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
• (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
• GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
• ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
• OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
• 22pYF-8 半導体2次元電子系とキャパシタンス結合した超伝導単電子トランジスタの電荷状態(22pYF 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
• 28a-YG-1 微細構造をもつ超伝導/強磁性複合膜の特性
• 20pHV-8 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-5 量子ホール効果ブレークダウンを利用した歪みによる電気四重極分離の観測(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-8 動的核スピン偏極によるv=2/3分数量子ホール状態のスピン相転移点シフト(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pYC-3 GaAs2次元正孔系の強局在領域における正の巨大磁気抵抗(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
• 光で誘起する磁性 (特徴ある系での光の振る舞い)
• 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 17aYH-4 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 28aTB-4 (In,Mn)Asの軟X線吸収・発光分光
• 28aTB-1 III-V族希薄磁性半導体の金属絶縁体転移
• 22aK-11 (Ga,Mn)Asの磁場による金属絶縁体転移
• 24aC-7 (Ga, Mn)Asの成長面内における磁気異方性
• 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
• 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
• マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
• 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
• 28pPSB-8 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起II(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pTX-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
• 14aYB-9 GaAs2 次元正孔系における強相関電子固体相の磁気抵抗振動(量子ホール効果, 領域 4)
• 17aYH-5 In_Mn_xAsにおける正孔のサイクロトロン共鳴
• 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
• 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
• 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
• 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
• (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
• 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
• 30p-A-4 微小超伝導体の磁束状態
• 27aXB-8 正孔量子ホール系における非周期的抵抗ゆらぎ(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXB-5 正孔量子ホール系における長時間緩和を伴う磁気抵抗のヒステリシス(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aYT-11 2次元正孔量子ホール系のν=1/3付近における異常(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
• 24aTG-4 2次元正孔系アンチドット格子の整合性磁気抵抗振動(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pSB-10 (Ga,Mn)Asの軟X線発光分光 II
• 22aK-9 軟X線吸収・発光分光による(Ga,Mn)Asの組成比依存性の研究
• 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
• 磁化の光誘起才差運動(実験)
• 24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
• 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
• III-V族磁性混晶半導体とキャリア誘起強磁性
• 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
• 27aYA-1 垂直磁気異方性を持つ強磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁化過程に対する光照射効果(磁性半導体)(領域4)
• 27pXJ-6 III-V族磁性半導体における光スピン注入現象(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• 21pTH-3 (Ga, Mn)As 薄膜とその量子構造における光誘起スピンダイナミクス
• 31pYH-14 (Ga, Mn) As ベース量子井戸構造の磁性・伝導・磁気光学効果特性
• 17aYH-8 円偏光照射による(Ga,Mn)As薄膜の磁化反転とその記憶効果
• 28a-YN-5 希薄磁性半導体(In,Mn)Asの低温における巨大なバルクハウゼンジャンプ
• 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
• 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
• 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
• 18pRC-9 2次元正孔系の高次ランダウ準位における抵抗異方性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27aYA-3 時間分解分光法によるGa_Mn_xAsの強磁性発現機構 : アクセプタバンドの役割(磁性半導体)(領域4)
• 21pTH-2 ポンププローブ分光法による III-V 族磁性半導体の磁気光学スペクトルの過渡応答
• 31pYH-13 III-V 族希薄磁性半導体の時間分解分光 2
• 24aTG-3 2次元正孔系アンチドット格子の磁気抵抗におけるベリー位相の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXC-6 Terahertz emission from dilute magnetic semiconductors
• 24aC-4 GaMnAsの軟X線発光分光
• 12aYC-7 (Ga, Mn)As/2 次元正孔系界面での巨大磁気抵抗効果(磁性半導体, 領域 4)
• 26aHD-11 スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• スピンフォトニクス
• 27pCJ-2 偶数量子ホール状態ブレークダウンを用いた動的核スピン偏極(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-2 (Ca,Mn)Asの格子歪み緩和と成長面内磁気異方性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pFB-11 (Ga,Mn)Asの格子歪みと磁気異方性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pFB-5 アンドレーフ反射に対する横方向電流の効果(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTH-1 (Ga, Mn)As による 2 次元ホール系へのスピン注入
• 24aC-6 GaMnAs/GaAs pn接合の特性
• 29aXL-9 Nb/InAs接合におけるAndreev反射の横方向電流および磁場方向依存性(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 7pSB-2 強磁性In_Mn_xAnのサイクロトロン共鳴(磁性半導体,領域4)
• 25aXP-6 III-V族希薄磁性半導体の時間分解分光(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25aXp-1 (Ga,Mn) As, (In,Mn) As, (Cd,Mn) Teの共鳴軟X線発光分光(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25aXP-5 (Ga,Mn)Asを含む2重障壁量子井戸の電圧電流特性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク