(Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 2002-10-10

著者

• 近藤 剛

  東京工業大学

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学

• 宗片 比呂夫

  東工大像情報

• 宗片 比呂夫

  東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設

• 宗片 比呂夫

  東工大・像情報

• 宗片 比呂夫

  東大大工

関連論文

• 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
• (Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
• 磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
• Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
• GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
• 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
• 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
• 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
• (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
• GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
• ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
• OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
• 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
• 光照射下におけるGaAs-Fe複合構造の磁性と伝導
• 光で誘起する磁性 (特徴ある系での光の振る舞い)
• 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
• 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
• マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
• 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pTX-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
• 17aYH-5 In_Mn_xAsにおける正孔のサイクロトロン共鳴
• 29pTC-4 希薄磁性半導体の電子サイクロトロン共鳴
• 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
• 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
• 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
• 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
• (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
• 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
• 光キャリヤが誘起する(In, Mn)Asの磁性
• GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
• スピントロニクスにおける材料研究の最前線
• 28p-YF-7 III-V族希薄磁性半導体での磁気抵抗効果
• 13a-E-8 a-Si_xC_:H(x〜0.2)の偏光記憶度相関
• 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
• 磁化の光誘起才差運動(実験)
• 24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
• 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
• III-V族磁性混晶半導体とキャリア誘起強磁性
• 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
• 27aYA-1 垂直磁気異方性を持つ強磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁化過程に対する光照射効果(磁性半導体)(領域4)
• 27pXJ-6 III-V族磁性半導体における光スピン注入現象(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
• ZnHgSSeのMBE成長と評価
• ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
• 非晶質シリコン・カ-ボンのピコ秒時間分解ルミネッセンス〔英文〕
• 3p-G-12 a-Si_xC_(X≃0.2)に於ける光励起キャリアーのピコ秒ポピュレーションダイナミックス
• 3p-G-11 a-Si_xC_の発光のピコ秒分光 (II)
• 30a-M-13 非晶質Si_xC_の発光のピコ秒分光
• 21pTH-3 (Ga, Mn)As 薄膜とその量子構造における光誘起スピンダイナミクス
• 31pYH-14 (Ga, Mn) As ベース量子井戸構造の磁性・伝導・磁気光学効果特性
• 17aYH-8 円偏光照射による(Ga,Mn)As薄膜の磁化反転とその記憶効果
• 28a-YN-5 希薄磁性半導体(In,Mn)Asの低温における巨大なバルクハウゼンジャンプ
• 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
• 2p-X-1 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの光誘起効果
• 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
• 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
• 磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
• 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• スピンフォトニクス
• 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 光で誘起する磁性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク