31pYH-14 (Ga, Mn) As ベース量子井戸構造の磁性・伝導・磁気光学効果特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-03-06
著者
-
宗片 比呂夫
東工大像情報
-
宗片 比呂夫
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
-
宗片 比呂夫
東工大・像情報
-
宗片 比呂夫
東大大工
-
守谷 頼
東工大像情報
-
大岩 顕
科技団さきがけ
-
大岩 顕
東京大学工学系研究科
-
樫村 之哉
東工大像情報
関連論文
- 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
- (Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
- 磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
- Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
- GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
- 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
- (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
- OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 光で誘起する磁性 (特徴ある系での光の振る舞い)
- 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 30p-ZF-2 低温におけるIII-V族希薄磁性半導体の電気伝導
- マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pTX-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
- 17aYH-5 In_Mn_xAsにおける正孔のサイクロトロン共鳴
- 29pTC-4 希薄磁性半導体の電子サイクロトロン共鳴
- 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
- 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
- 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
- (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
- 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
- GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aXL-10 ナノギャップ電極間のInAsドットにおける近藤効果の観測(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- スピントロニクスにおける材料研究の最前線
- 28p-YF-7 III-V族希薄磁性半導体での磁気抵抗効果
- 27pXF-2 超伝導体/希薄磁性半導体接合への非平衡キャリア注入効果(27pXF 超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
- 磁化の光誘起才差運動(実験)
- 24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- III-V族磁性混晶半導体とキャリア誘起強磁性
- 27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-1 垂直磁気異方性を持つ強磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁化過程に対する光照射効果(磁性半導体)(領域4)
- 27pXJ-6 III-V族磁性半導体における光スピン注入現象(領域3シンポジウム : スピン注入現象の新展開)(領域3)
- 21pTH-3 (Ga, Mn)As 薄膜とその量子構造における光誘起スピンダイナミクス
- 31pYH-14 (Ga, Mn) As ベース量子井戸構造の磁性・伝導・磁気光学効果特性
- 光で磁性を制御する : 光磁性半導体の新しい展開
- 17aYH-8 円偏光照射による(Ga,Mn)As薄膜の磁化反転とその記憶効果
- 28a-YN-5 希薄磁性半導体(In,Mn)Asの低温における巨大なバルクハウゼンジャンプ
- 2p-X-2 III-V族希薄磁性半導体の磁性と電気伝導
- 2p-X-1 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの光誘起効果
- 30a-Z-13 III-V族希薄磁性半導体(In, Mn)Asの磁性と電気伝導に対する圧力効果
- 31a-YP-7 希薄磁性半導体(In, Mn)Asの電流磁気効果
- 磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 26aEG-7 強磁性p-InMnAs上に形成したNb/n-InAs/Nb接合(26aEG 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- スピンフォトニクス
- 24aBG-5 MnドープInAs pnダイオードにおけるスピン偏極電流(24aBG スピントロニクス(薄膜・ナノ粒子・スピン分極),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 光で誘起する磁性
- 25aXP-7 III-V族強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける円偏光誘起磁化の記憶効果(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))