3p-G-11 a-Si_xC_<1-x>の発光のピコ秒分光 (II)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
ZnSの自己付活発光
-
1)ZnS青色発光ダイオード(光・フィルム技術研究会(第12回))
-
28a-B-10 Al_xGa_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトル II
-
3a-F-18 GaAlAsの欠陥構造に及ぼす圧力効果
-
3p-Q-11 静水圧下におけるAlGaAs中のDX準位
-
3p-A-8 高圧下におけるAl_xGa_Asのラマン散乱
-
(Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
-
磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
-
Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
-
GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
-
28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
-
(Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
-
ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
-
OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
-
2p-TB-2 CdS束縛励起子の発光
-
28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
-
光照射下におけるGaAs-Fe複合構造の磁性と伝導
-
マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
-
11-3 ZnS系螢光体の低速電子線励起発光
-
光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
-
29pTC-4 希薄磁性半導体の電子サイクロトロン共鳴
-
12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
-
27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
-
27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
-
(Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
-
光キャリヤが誘起する(In, Mn)Asの磁性
-
GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
-
スピントロニクスにおける材料研究の最前線
-
28p-YF-7 III-V族希薄磁性半導体での磁気抵抗効果
-
13a-E-8 a-Si_xC_:H(x〜0.2)の偏光記憶度相関
-
24a-X-2 ZnSe中の共鳴ハイパーレーレー散乱
-
4p-P-8 Cd(S,Se)における励起子-励起子相互作用
-
2p-TB-1 高密度励起子によるマイクロ波伝導
-
18a-B-6 ZnS:Cu緑色発光機構の総合的検討
-
16a-B-21 レーザー光を直接生成したCd(s,Se)励起子の発光
-
16a-B-20 レーザー光で直接生成したCd(S,Se)励起子による光伝導
-
17p-A-3 Cd(S,Se)高密度励起子の挙動
-
束縛励起子
-
CdS励起子発光のドナー濃度依存症 : イオン結晶・光物性
-
Arレーザー光励起によるCd(S,Se)の励起子発光 : 半導体, イオン結晶, 光物性
-
5p-L-9 ZnSeの吸収端近傍の発光
-
14p-N-10 ZnSのdonor-acceptor pair型の発光 II.
-
2p-C-3 ZnSにおけるCu^の吸収スペクトルおよびルミネッセンスとの関連
-
2p-C-1 ZnS螢光体単結晶におけるドナー不純物の赤外吸収
-
ZnS単結晶の浅いトラップによる赤外吸収 : 光物性・イオン結晶
-
10a-L-3 溶融法による(Zn,Cd)S単結晶の育成とその光学的性質
-
溶融法によるZnS単結晶の作製とその性質 : 光物性
-
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
-
磁化の光誘起才差運動(実験)
-
24pZC-7 III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
-
12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
-
12pXA-4 III-V 族強磁性半導体における光誘起磁化ダイナミクス(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
-
III-V族磁性混晶半導体とキャリア誘起強磁性
-
27aYA-5 (Ga,Mn)Asにおける光誘起時間分解カー回転(磁性半導体)(領域4)
-
27aYA-1 垂直磁気異方性を持つ強磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁化過程に対する光照射効果(磁性半導体)(領域4)
-
ZnHgSSeのMBE成長と評価
-
ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
-
非晶質シリコン・カ-ボンのピコ秒時間分解ルミネッセンス〔英文〕
-
3p-G-12 a-Si_xC_(X≃0.2)に於ける光励起キャリアーのピコ秒ポピュレーションダイナミックス
-
3p-G-11 a-Si_xC_の発光のピコ秒分光 (II)
-
30a-M-13 非晶質Si_xC_の発光のピコ秒分光
-
28a-C-2 化合物半導体中のDXセンター
-
4p-DR-22 GaP中の非輻射過程による点欠陥の移動
-
結晶育成と人材育成
-
化合物半導体混晶における欠陥準位と欠陥反応(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
-
2a-N-8 化合物および混晶半導体における深い凖位と欠陥反応
-
3-5族化合物半導体における深い準位と欠陥反応 (オプトエレクトロニクス)
-
2a-CA-4 化合物半導体の深い準位-格子緩和と欠陥生成
-
(Cd_Zn_x)S焼結膜の光電特性 : 光物性
-
15) 近接形I.I.の残像特性の改善(〔テレビジョン電子装置研究会(第121回)画像表示研究会(第82回)〕合同)
-
磁性混晶半導体 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
-
2a-L-12 ZnSe単結晶の赤外領域における不純物吸収
-
14a-N-6 希土類イオン(Tb^)の励起準位間の緩和
-
4p-Z-19 迸択励起による CdF_2:Eu^ の発光
-
ルミネセンス国際会議
-
1p-BG-1 希土類塩の電荷移動型発光
-
9a-Q-8 希土類正燐酸塩の電荷移動遷移による吸収と発光
-
7p-J-11 YbPO_4のラマン・スペクトル
-
3a-L-9 YbPO_4の発光スペクトル
-
4a-K-12 YbPO_4およびYbPO_4:Gd^における協力光遷移現象
-
30p-S-6 希土類正燐酸塩中のYb^の光スペクトル
-
6p-A-1 YbPO_4母体中での協力光遷移現象
-
4a-TB-1 希土類イオンをドープしたCdF_2の発光
-
16p-B-5 YPO_4:Ce^の発光
-
固体内希土類イオン間のエネルギー移動 : イオン結晶・光物性
-
固体内の希土類イオンの間のエネルギー移動 : イオン結晶・光物性
-
10a-L-12 ガラス内のTb^のルミネッセンスの増感
-
7a-B-2 ガラス内のNd^のルミネッセンスの増感
-
スピンフォトニクス
-
7pSB-2 強磁性In_Mn_xAnのサイクロトロン共鳴(磁性半導体,領域4)
-
27a-LM-5 間接型Al2Ga_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトルI(イオン結晶・光物性)
-
28a-LN-3 混晶半導体における吸収端発光の温度依存性 I(イオン結晶・光物性)
-
28p-LE-7 高圧下におけるAlGaAs発光 I(半導体)
-
28p-LE-10 In_Ga_xAsyP_のラマンスペクトル(半導体)
-
30a-FB-6 高圧下におけるGa_Al_xAsの光学的性質(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク