2a-N-8 化合物および混晶半導体における深い凖位と欠陥反応
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-09-14
著者
関連論文
- ZnSの自己付活発光
- 1)ZnS青色発光ダイオード(光・フィルム技術研究会(第12回))
- 28a-B-10 Al_xGa_As混晶の吸収端発光の時間分解スペクトル II
- 3a-F-18 GaAlAsの欠陥構造に及ぼす圧力効果
- 3p-Q-11 静水圧下におけるAlGaAs中のDX準位
- 3p-A-8 高圧下におけるAl_xGa_Asのラマン散乱
- 11-3 ZnS系螢光体の低速電子線励起発光
- GaP/AIP短周期超格子の磁気発光スペクトル
- 13a-E-8 a-Si_xC_:H(x〜0.2)の偏光記憶度相関
- 日本におけるマルチメディア化の方向
- II-VI族化合物のディスプレイにおける応用
- ZnHgSSeのMBE成長と評価
- ZnSe系緑色/青色面発光レーザの基礎設計
- 非晶質シリコン・カ-ボンのピコ秒時間分解ルミネッセンス〔英文〕
- 3p-G-12 a-Si_xC_(X≃0.2)に於ける光励起キャリアーのピコ秒ポピュレーションダイナミックス
- 3p-G-11 a-Si_xC_の発光のピコ秒分光 (II)
- 30a-M-13 非晶質Si_xC_の発光のピコ秒分光
- 28a-C-2 化合物半導体中のDXセンター
- 4p-DR-22 GaP中の非輻射過程による点欠陥の移動
- 結晶育成と人材育成
- 化合物半導体混晶における欠陥準位と欠陥反応(VI. 半導体の格子緩和,強結合電子・格子系の動的物性,科研費研究会報告)
- 1978年ルミネッセンス国際会議報告
- 1)II-VI族化合物のディスプレイにおける応用(光・フィルム技術研究会(第21回))
- 2a-N-8 化合物および混晶半導体における深い凖位と欠陥反応
- 3-5族化合物半導体における深い準位と欠陥反応 (オプトエレクトロニクス)
- 2a-CA-4 化合物半導体の深い準位-格子緩和と欠陥生成
- (Cd_Zn_x)S焼結膜の光電特性 : 光物性
- 28a-LN-3 混晶半導体における吸収端発光の温度依存性 I(イオン結晶・光物性)
- 28p-LE-7 高圧下におけるAlGaAs発光 I(半導体)
- 28p-LE-10 In_Ga_xAsyP_のラマンスペクトル(半導体)