浜屋 宏平 | 九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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概要
関連著者
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浜屋 宏平
九大シス情報:jstさきがけ:東大生産研:東大ナノ量子機構
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兵屋 宏平
東大生産研:東大ナノ量子機構:九大シス情報:jstさきがけ
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町田 友樹
東大生産研
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浜屋 宏平
東大生産研
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浜屋 宏平
九州大学大学院システム情報科学研究院
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川村 稔
理研
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川村 稔
東大生産研
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谷山 智康
東工大応セラ研
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増渕 覚
東大生産研
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増渕 覚
東京大学生産技術研究所
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川村 稔
理研:jstさきがけ
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北本 仁孝
東京工業大学
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北本 仁孝
東京工大 大学院総合理工学研究科
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高橋 裕之
東大生産研
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北本 仁孝
東工大総理工
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谷山 智康
東工大総理工
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宗片 比呂夫
東工大像情報
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杉原 加織
東大生産研
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宗片 比呂夫
東京工業大学理工学研究科附属像情報工学研究施設
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宗片 比呂夫
東工大・像情報
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浜屋 宏平
九大シス情報
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濱屋 宏平
東工大総理工
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平川 一彦
東大生研
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勝本 信吾
東大物性研
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平川 一彦
Jst-crest:東大生研:東大ナノ量子機構
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柴田 憲治
東大ナノ量子機構
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荒川 泰彦
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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荒川 泰彦
東大生産研:東大ナノ量子機構
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平川 一彦
東大生産研
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橋本 義昭
東大物性研
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小野 雅司
東京大学生産技術研究所
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小野 雅司
東大生産研
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石田 悟己
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
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柴田 憲治
東大生産研
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石田 悟己
東大先端研
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中川 一彦
東京大学生産技術研究所
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橋本 義昭
東京大学物性研究所
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平川 一彦
東京大
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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柴田 憲治
東大生研
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白木 靖寛
都市大総研
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平川 一彦
東京大学生産技術研究所
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澤野 憲太郎
都市大総研
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澤野 憲太郎
武蔵工大総研
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白木 靖寛
武蔵工大総研
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宗片 比呂夫
東大大工
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Jung M.
東大生産研
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北本 仁孝
東京工業大学・大学院総合理工学研究科・物質科学創造専攻
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守谷 頼
東工大像情報
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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山崎 陽太郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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北本 仁孝
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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澤野 憲太郎
東京都市大
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宗片 比呂夫
東京工業大学
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北畠 未来
東大生産研
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宮尾 正信
九大シス情報:jst Crest
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子機構:jstさきがけ
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木村 崇
九大稲盛フロンティア
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山田 晋也
富山大理
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橋本 直樹
阪大 理
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山崎 陽太郎
東工大総理工
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木村 崇
理研
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加藤 裕明
東工大総理工
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浜屋 宏平
東工大総理工
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木村 崇
九大稲盛フロンティア研究センター
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木村 崇
熊大院自然:crest
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橋本 直樹
九大シス情報
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木村 崇
九大稲盛センター
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木村 崇
九大稲盛セ:CREST
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村木 康二
NTT物性基礎研
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北本 仁孝
東工大
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山崎 陽太郎
東工大
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谷山 智康
東京工業大学
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谷山 智康
東工大応セラ研:jstさきがけ
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山崎 陽太郎
東京工業大学・大学院総合理工学研究科・物質科学創造専攻
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浜屋 宏平
東大ナノ量子機構
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川村 稔
東大ナノ量子機構
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笠谷 雄一
慶大理工
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荒川 泰彦
東大先端研
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能崎 幸雄
慶大理工
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兵屋 宏平
東工大総理工
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大岩 顕
科技団さきがけ
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宗方 比呂夫
東工大像情報
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直江 昌武
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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浜屋 宏平
東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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大岩 顕
東京大学工学系研究科
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谷山 智康
東工大 総理工
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山崎 陽太郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻
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能崎 幸雄
慶應義塾大学理工学部物理学科
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能崎 幸雄
慶大理工:rresto Jst
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山田 晋也
九大シス情報
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村上 達彦
九大シス情報
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沖 宗一郎
九大シス情報
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真崎 紘平
九大シス情報
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前田 雄也
九大シス情報
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佐藤 奈々
慶大理工
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山田 晋也
九大院システム情報
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宮尾 正信
九大院システム情報
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浜屋 宏平
九大院システム情報
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山崎 陽太郎
東京工業大学
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町田 友樹
東大生産研:東大ナノ量子
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谷山 智康
東工大
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北本 仁孝
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering,
著作論文
- 18pRC-4 分数量子ホール端状態における動的核スピン偏極(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aWH-10 分数量子ホール効果ブレークダウン領域における動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWB-7 単層グラフェンにおける異常量子ホール効果の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-8 単層グラフェンにおけるスピン依存伝導の観測(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pTH-7 量子ホール効果ブレークダウンの動的核スピン偏極効率(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-8 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピンの偏極と制御(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 18pRC-7 量子ホール効果ブレークダウンを利用した核スピン制御(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-5 ν=1近傍の量子ホール系における抵抗検出型NMRの特異なスペクトル形状(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-5 Si/SiGe量子ホール系における非局所抵抗のスピン依存性(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-6 エッジーバルク間非平衡分布による動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-7 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの空間分布測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-8 整数量子ホール効果ブレークダウンを利用した動的核スピン偏極(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXB-6 Si/SiGe量子ホール系におけるエッジチャネル伝導(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
- 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
- (Ga, Mn)As薄膜における面内磁気抵抗の温度依存性
- 21pPSA-16 (Ga, Mn)As 細線の磁気抵抗と磁気異方性
- 27aPS-1 多結晶La_Sr_xMnO_3薄膜における磁場伝導のアニール効果 II
- 24pPSB-21 多結晶La_Sr_xMnO_3薄膜における磁気伝導のアニール効果
- 反応生成物をバリアとしたLa_Sr_XMnO_3薄膜の低磁場磁気抵抗効果
- Arイオンミリング法によるLSMO薄膜の微細加工
- 23aWH-9 Si/SiGe量子ホールダイオードにおけるトンネル電流のスピン依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-1 Si/SiGe量子ホール系における谷分離端状態伝導(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pRP-7 単一量子ドット/強磁性電極ナノ接合におけるスピン伝導(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pXB-3 抵抗検出NMRを利用したナイトシフトの観測(27pXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-3 強磁性電極を接合した半導体量子ドットのスピン伝導に関する研究(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-34 ホイスラー合金を有する横型スピンバルブ素子におけるスピンホール効果の観測(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 26aPS-33 4元系ホイスラー合金を用いた純スピン流の検出(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23pRA-8 ホイスラー合金薄膜におけるダンピング定数の結晶方位依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pTL-3 強磁性電極を接合した半導体量子ドットのスピン伝導に関する研究(若手奨励賞,21pTL 若手奨励賞・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))